bts 542 d2
半导体 组 页 3 13.十一月.95
电的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
加载 切换 能力 和 特性
在-状态 阻抗 (管脚 3 至 5)
I
L
= 5 一个
T
j
=25 °c:
T
j
=150 °c:
R
在
-- 15
28
18
35
m
W
名义上的 加载 电流 (管脚 3 至 5)
iso proposal:
V
在
= 0.5 v,
T
C
= 85 °c
I
l(iso)
17 21 -- 一个
输出 电流 (管脚
5
) 当 地 disconnected 或者
地 牵引的 向上,
V
在
= 0, 看 图解 页 7,
T
j
=-40...+150°c
I
l(gndhigh)
-- -- 1 毫安
转变-在 时间
至 90%
V
输出
:
转变-止 时间 至 10%
V
输出
:
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°c
t
在
t
止
100
10
--
--
350
130
m
s
回转 比率 在
10 至 30%
V
输出
,
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°c
d
V
/dt
在
0.2 -- 2 v/
m
s
回转 比率 止
70 至 40%
V
输出
,
R
L
= 12
W
,
T
j
=-40...+150°c
-d
V
/dt
止
0.4 -- 5 v/
m
s
运行 参数
运行 电压
4
)
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
4.5 -- 42 V
欠压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(下面)
2.4 -- 4.5 V
欠压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(u rst)
-- -- 4.5 V
欠压 重新开始 的 承担 打气
看 图解 页 12
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(ucp)
-- 6.5 7.5 V
欠压 hysteresis
D
V
bb(下面)
=
V
bb(u rst)
-
V
bb(下面)
D
V
bb(下面)
-- 0.2 -- V
超(电)压 关闭
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(在)
42 -- 52 V
超(电)压 重新开始
T
j
=-40...+150°c:
V
bb(o rst)
42 -- -- V
超(电)压 hysteresis
T
j
=-40...+150°c:
D
V
bb(在)
-- 0.2 -- V
超(电)压 保护
5
)
T
j
=-40°c:
I
bb
=40 毫安
T
j
=25...+150°c:
V
bb(az)
60
63
--
67
-- V
备用物品 电流 (管脚 3)
T
j
=-40...+25°c
:
V
在
=0, i
ST
=0
,
T
j
=150°c:
I
bb(止)
--
--
12
18
25
60
m
一个
泄漏 输出 电流 (包含 在
I
bb(止)
)
V
在
=0
I
l(止)
-- 6--
m
一个
运行 电流 (管脚 1)
6)
,
V
在
=5 v
I
地
-- 1.1 -- 毫安
4
)
在 供应 电压 增加 向上 至
V
bb
= 6.5 v 典型值 没有 承担 打气,
V
输出
»
V
bb
- 2 v
5)
看 也
V
在(cl)
在 表格 的 保护 功能 和 电路 图解 页 7. meassured 没有 加载
.
6
)
增加
I
ST
, 如果
I
ST
> 0, 增加
I
在
, 如果
V
在
>5.5 v