bts 442 e2
参数 和 情况标识 值 单位
在
T
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 5 2003-oct-01
输入 和 状态 反馈
12
)
输入 转变-在 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t+)
1.5 -- 2.4 V
输入 转变-止 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t-)
1.0 -- -- V
输入 门槛 hysteresis
∆
V
在(t)
-- 0.5 -- V
止 状态 输入 电流 (管脚 2),
V
在
= 0.4 v
I
在(止)
1 -- 30
µ
一个
在 状态 输入 电流 (管脚 2),
V
在
= 3.5 v
I
在(在)
10 25 50
µ
一个
状态 invalid 之后 积极的 输入 斜度
(短的 电路)
T
j
=-40 ... +150°c:
t
d(st sc)
80 200 400
µ
s
状态 invalid 之后 积极的 输入 斜度
(打开 加载)
T
j
=-40 ... +150°c:
t
d(st)
350 -- 1600
µ
s
状态 输出 (打开 流)
齐纳 限制 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
st 低 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
V
st(高)
V
st(低)
5.4
--
6.1
--
--
0.4
V
12)
如果 一个 地面 电阻 r
地
是 使用, 增加 这 电压 漏出 横过 这个 电阻.