BTS442E2E3062A_集成电路资料查询网

bts 442 e2
半导体 组 6 2003-oct-01
真实 表格
输入- 输出 状态
水平的
水平的
442
D2
442
E2
正常的
运作
L
H
L
H
H
H
H
H
打开 加载 L
H
13
)
H
H
L
H
L
短的 电路
至 地
L
H
L
L
H
L
H
L
短的 电路
至 v
bb
L
H
H
H
H
h (l
14)
)
H
h (l
14)
)
overtem-
perature
L
H
L
L
L
L
L
L
下面-
电压
L
H
L
L
L
15)
L
15)
H
H
超（电）压 l
H
L
L
L
L
H
H
l = "低" 水平的
h = "高" 水平的
13
)
 电源 晶体管 止, 高 阻抗
14
)
 低 阻抗 短的
V
bb
至 输出 将 是 发现 用 非-加载-发现
15
)
 非 电流 下沉 能力 在 欠压 关闭
条款
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
ST
V
在
I
ST
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
I
地
V
在
1
2
4
3
5
R
地
输入 电路 (静电释放 保护)
在
地
I
R
ZD ZD
I
I
I1 I2
静电释放-
ZD
I1
6.1 v 典型值., 静电释放 齐纳 二极管 是 不 至 是 使用
作 电压 clamp 在 直流 情况. 运作 在 这个
模式 将 结果 在 一个 逐渐变化 的 这 齐纳 电压
(增加 的 向上 至 1 v).

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bts 442 e2 半导体组 6 2003-oct-01 真实表格输入- 输出状态水平的水平的 442 D2 442 E2 正常的运作 L H L H H H H H 打开加载 L H 13 ) H H L H L 短的电路至地 L H L L H L H L 短的电路至 v bb L H H H H h (l 14) ) H h (l 14) ) overtem- perature L H L L L L L L 下面- 电压 L H L L L 15) L 15) H H 超（电）压 l H L L L L H H l = "低" 水平的 h = "高" 水平的 13 ) 电源晶体管止, 高阻抗 14 ) 低阻抗短的 V bb 至输出将是发现用非-加载-发现 15 ) 非电流下沉能力在欠压关闭条款 PROFET V 在 ST 输出地 bb V ST V 在 I ST I 在 V bb I bb I L V 输出 I 地 V 在 1 2 4 3 5 R 地输入电路 (静电释放保护) 在地 I R ZD ZD I I I1 I2 静电释放- ZD I1 6.1 v 典型值., 静电释放齐纳二极管是不至是使用作电压 clamp 在直流情况. 运作在这个模式将结果在一个逐渐变化的这齐纳电压 (增加的向上至 1 v).

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