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数据 薄板  v1.0 7 2002-11-14
HITFET

BTS3408G
电的 特性
V
S
= 4.5 至 18v;
T
j
= -40 至 150
°
c; 除非 否则 指定
参数 sym-
bol
限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
电源 供应
供应 电压
V
S
4.5
–
60 V
–
供应 电流 在 使能 模式
I
s(在)
–
1.5 4 毫安 ena=高,
OUT1=OUT2=On
供应 电流 在 备用物品 模式
1)
I
s(stby)
––
16
µ
AENA=Low
电源 输出
流 源 clamp 电压
V
ds(az)
60
–
75 V
I
D
= 1 毫安
输出 泄漏 电流
2)
I
DSS
–
15
µ
aena=低,
在=低,
V
DS
= 60 v
输出 拉 向下 电流
I
pd(ol)
50 100 200
µ
aena=高,
在=低,
V
DS
= 42 v
在-状态 阻抗
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
R
ds(在)
–
–
480
800
550
1000
m
Ω
I
D
= 0.2 一个,
V
S
= 5 v
电流 限制
I
d(lim)
11.52a
–
转变-在 时间在=高 至 90%
I
D
:
t
在
–
28
µ
s
R
L
=2k
Ω
,
V
BB
=12v,
V
S
=5V
转变-止 时间 在=低 至 10%
I
D
:
t
在
–
28
µ
s
R
L
=2k
Ω
,
V
BB
=12v,
V
S
=5V
数字的 输入 (in1, in2, ena)
输入
’
低
’
电压
in1, in2:
ena:
V
INL
V
ENAL
-0.3
-0.3
–
–
0.8
0.8
V
–
ena 电压 为
’
FREEZE
’
符合实际
V
ENAFZ
1.2
–
1.7 V
–

标　题:
内　容:
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数据薄板 v1.0 7 2002-11-14 HITFET  BTS3408G 电的特性 V S = 4.5 至 18v; T j = -40 至 150 ° c; 除非否则指定参数 sym- bol 限制值单位测试情况最小值典型值最大值电源供应供应电压 V S 4.5 – 60 V – 供应电流在使能模式 I s(在) – 1.5 4 毫安 ena=高, OUT1=OUT2=On 供应电流在备用物品模式 1) I s(stby) –– 16 µ AENA=Low 电源输出流源 clamp 电压 V ds(az) 60 – 75 V I D = 1 毫安输出泄漏电流 2) I DSS – 15 µ aena=低, 在=低, V DS = 60 v 输出拉向下电流 I pd(ol) 50 100 200 µ aena=高, 在=低, V DS = 42 v 在-状态阻抗 T j = 25 ° C T j = 150 ° C R ds(在) – – 480 800 550 1000 m Ω I D = 0.2 一个, V S = 5 v 电流限制 I d(lim) 11.52a – 转变-在时间在=高至 90% I D : t 在 – 28 µ s R L =2k Ω , V BB =12v, V S =5V 转变-止时间在=低至 10% I D : t 在 – 28 µ s R L =2k Ω , V BB =12v, V S =5V 数字的输入 (in1, in2, ena) 输入 ’ 低 ’ 电压 in1, in2: ena: V INL V ENAL -0.3 -0.3 – – 0.8 0.8 V – ena 电压为 ’ FREEZE ’ 符合实际 V ENAFZ 1.2 – 1.7 V –

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