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资料编号:183573
资料名称:
BTS131
文件大小: 295.07K
说明
:
介绍
:
TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TEMPFET
®
bts 131
2
19.02.04
电的 特性
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0
, i
D
= 0.25 毫安
V
(br)dss
50
––
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
DS
, i
D
= 1 毫安
V
gs(th)
1.5
2.0
2.5
零 门 电压 流 电流
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 50 v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
DSS
–
–
1
100
10
300
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
I
GSS
–
–
10
2
100
4
nA
µ
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 4.5 v
, i
D
=12 一个
R
ds(在)
–
0.05
0.06
Ω
动态 特性
向前 跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 12 一个
g
fs
12
17
22
S
输入 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
800
1050
1400
pF
输出 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
–
500
750
反转 转移 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
–
200
300
转变-在 时间
t
在
, (
t
在
=
t
d(在)
+
t
r
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(在)
–
25
40
ns
t
r
–
60
90
转变-止 时间
t
止
, (
t
止
=
t
d(止)
+
t
f
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(止)
–
100
130
t
f
–
75
95
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