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TEMPFET
®
bts 131
2
19.02.04
电的 特性
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定.
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0
, i
D
= 0.25 毫安
V
(br)dss
50
––
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
DS
, i
D
= 1 毫安
V
gs(th)
1.5 2.0 2.5
零 门 电压 流 电流
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 50 v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
DSS
–
–
1
100
10
300
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
I
GSS
–
–
10
2
100
4
nA
µ
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 4.5 v
, i
D
=12 一个
R
ds(在)
–
0.05 0.06
Ω
动态 特性
向前 跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 12 一个
g
fs
12 17 22
S
输入 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
800 1050 1400
pF
输出 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
–
500 750
反转 转移 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
–
200 300
转变-在 时间
t
在
, (
t
在
=
t
d(在)
+
t
r
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(在)
–
25 40 ns
t
r
–
60 90
转变-止 时间
t
止
, (
t
止
=
t
d(止)
+
t
f
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(止)
–
100 130
t
f
–
75 95

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TEMPFET ® bts 131 2 19.02.04 电的特性在 T j = 25 ° c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性流-源损坏电压 V GS = 0 , i D = 0.25 毫安 V (br)dss 50 –– V 门门槛电压 V GS = V DS , i D = 1 毫安 V gs(th) 1.5 2.0 2.5 零门电压流电流 V GS = 0 v, V DS = 50 v T j = 25 ° C T j = 125 ° C I DSS – – 1 100 10 300 µ 一个门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 T j = 25 ° C T j = 150 ° C I GSS – – 10 2 100 4 nA µ 一个流-源在-状态阻抗 V GS = 4.5 v , i D =12 一个 R ds(在) – 0.05 0.06 Ω 动态特性向前跨导 V DS ≥ 2 × I D × R ds(在)最大值 , I D = 12 一个 g fs 12 17 22 S 输入电容 V GS = 0 , v DS = 25 v, f = 1 mhz C iss 800 1050 1400 pF 输出电容 V GS = 0 , v DS = 25 v, f = 1 mhz C oss – 500 750 反转转移电容 V GS = 0 , v DS = 25 v, f = 1 mhz C rss – 200 300 转变-在时间 t 在 , ( t 在 = t d(在) + t r ) V CC = 30 v, V GS = 5 v, I D = 3 一个, R GS = 50 Ω t d(在) – 25 40 ns t r – 60 90 转变-止时间 t 止 , ( t 止 = t d(止) + t f ) V CC = 30 v, V GS = 5 v, I D = 3 一个, R GS = 50 Ω t d(止) – 100 130 t f – 75 95

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