bts 640 s2
半导体 组 页 7 2003-oct-01
真实 表格
输入 输出 状态
电流
Sense
水平的
水平的 水平的 I
是
正常的
运作
L
H
L
H
H
L
0
名义上的
电流-
限制
L
H
L
H
H
H
0
0
短的 电路 至
地
L
H
L
L
16
)
H
H
0
0
在-
温度
L
H
L
L
H
H
0
0
短的 电路 至
V
bb
L
H
H
H
L
17
)
L
0
<名义上的
18
)
打开 加载 L
H
L
19
)
H
h (l
20
)
)
L
0
0
欠压 l
H
L
L
H
L
0
0
超（电）压 l
H
L
L
H
L
0
0
负的 输出
电压 clamp
l l H 0
l = "低" 水平的 x = don't 小心 z = 高 阻抗, 潜在的 取决于 在 外部 电路
h = "高" 水平的 状态 信号 之后 这 时间延迟 显示 在 这 图解 (看 图 5. 页 12...13)
16
)
这 电压 漏出 在 这 电源 晶体管 是
V
bb
-
V
输出
>典型值.3v. 下面 这个 情况 这 sense 电流
I
是
是
零
17)
一个 外部 短的 的 输出 至 v
bb
, 在 这 止 状态, 导致 一个 内部的 电流 从 输出 至 地面. 如果 r
地
是 使用, 一个 补偿 电压 在 这 地 和 st 管脚 将 出现 和 这 v
st 低
信号 将 是 errorious.
18
)
低 ohmic 短的 至
V
bb
将 减少 这 输出 电流
I
L
和 因此 也 这 sense 电流
I
是
.
19
)
电源 晶体管 止, 高 阻抗
20
)
和 外部 电阻 在 管脚 4 和 管脚 6&放大;7
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