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资料编号:183771
 
资料名称:BU2527DX
 
文件大小: 83.09K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2527DX
图.13. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
P
D
/p
d 25˚c
= f (t
hs
)
图.14. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-hs
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.15. 反转 偏差 safe 运行 范围. t
j
T
jmax
图.16. 向前 偏差 safe 运行 范围.
T
hs
= 25 ˚c
I
CDC
&放大; i
CM
= f(v
CE
); i
CM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
第二-损坏 限制 独立的 的 温度.
挂载 和 散热器 复合.
0 20 40 60 80 100 120 140
ths / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
和 散热器 复合
0
30
20
10
0
500 1000 1500
vce / v
ic / 一个 BU2527AF
1e-06 1e-04 1e-02 1E+00
t / s
zth / (k/w)
BU2525AF
10
1
0.1
0.01
0.001
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
d = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
bu2525afic / 一个
100
10
1
0.1
0.01
1 10 100 1000
vce / v
100 美国
1 ms
10 ms
直流
40 美国
tp =
Ptot
ICM
ICDC
= 0.01
九月 1997 5 rev 1.200
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