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资料编号:184086
 
资料名称:BU508DF
 
文件大小: 55.14K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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热的 数据
至-3 至-218 ISOWATT218
R
thj-情况
热的 Resistance 接合面-情况 最大值 1 1 2.5
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
Collect或者 截-的f
电流 (v
=0)
V
CE
=1500V
V
CE
=1500V T
j
=125
o
C
1
2
毫安
毫安
I
EBO
Emitter 截-止 Current
(i
C
=0)
V
EB
=5V 300 毫安
V
ceo(sus)
Collect或者-Emitter
Sustaining Voltage
I
C
= 100 m 一个 700 V
V
ce(sat)
Collect或者-Emitter
饱和 电压
I
C
=4.5a I
B
=2A 1 V
V
是(s在)
根基-发射级
饱和 电压
I
C
=4.5a I
B
=2A 1.3 V
t
s
t
f
INDUCTIVE 加载
Storage 时间
下降 时间
I
C
=4.5a h
FE
=2.5 V
CC
=140V
L
C
=0.9mh L
B
=3
µ
H7
550
ms
ns
V
F
二极管 ward Voltage I
F
=4A 2 V
f
T
Transition Frequency I
C
=0.1a V
CE
=5V f=5MHz 7 MHz
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %
Safe 运行 范围 (至-3) Safe 运行 范围 (至-218/isowatt218)
BU208D / BU508D / BU508DFI
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