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资料编号:184458
 
资料名称:BUD42D
 
文件大小: 193.44K
   
说明
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
发行 顺序 号码:
bud42d/d
半导体 组件 industries, llc, 2003
8月, 2003 − rev. 2
1
BUD42D
高 速, 高 增益
双极 npn 晶体管 和
antisaturation 网络 和
瞬时 电压
抑制 能力
这 bud42d 是 一个 state−of−the−art 双极 晶体管. tight 动态
特性 和 lot 至 lot 最小 展开 制造 它 ideally 合适的
为 明亮的 ballast 产品.
主要的 特性:
自由 转动 二极管 建造 在
flat 直流 电流 增益
快 切换 时间 和 tight 分发
“6 sigma” 处理 供应 tight 和 reproducible 参数
Spreads
环氧的 满足 ul94, vo @ 1/8”
静电释放 比率: 机器 模型, c; >400 v
人 身体 模型, 3b; >8000 v
二 版本:
bud42d−1: 情况 369d 为 嵌入 模式
bud42d, bud42dt4: 情况 369c 为 表面 挂载 模式
collector−emitter sustaining 电压 V
CEO
350 Vdc
collector−base 损坏 电压 V
CBO
650 Vdc
collector−emitter 损坏 电压 V
CES
650 Vdc
emitter−base 电压 V
EBO
9 Vdc
集电级 电流 − 持续的
− 顶峰 (便条 1)
I
C
I
CM
4.0
8.0
模数转换器
根基 电流 − 持续的
− 顶峰 (便条 1)
I
B
I
BM
1.0
2.0
模数转换器
*total 设备 消耗 @ t
C
= 25
C
*derate 在之上 25
C
P
D
25
0.2
Watt
w/
C
运行 和 存储 温度 T
J
, t
stg
65 至
+150
C
典型 增益
典型 增益 @ i
C
= 1 一个, v
CE
= 2 v
典型 增益 @ i
C
= 0.3 一个, v
CE
= 1 v
h
FE
h
FE
13
16
热的 特性
典型的 标识 单位
热的 阻抗 − junction−to−case R
θ
JC
5.0
°
c/w
热的 阻抗 − junction−to−ambient R
θ
JA
71.4
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的: 1/8
从 情况 为 5 秒
T
L
260
°
C
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 5.0 ms, 职责 循环 = 10%
4 amperes
650 伏特
25 watts
电源 晶体管
Y = 年
WW = 工作 week
BUD43D = 设备 代号
http://onsemi.com
1
根基
3
Emmitter
2
集电级
4
集电级
DPAK
情况 369c
样式 1
标记 图解
1
2
3
4
DPAK
情况 369d
样式 1
1
2
3
4
YWW
BU
D42D
设备 包装 Shipping
订货 信息
BUD42D DPAK 75 单位/栏杆
BUD42D−1
DPAK
笔直地 含铅的
75 单位/栏杆
BUD42DT4 DPAK 2500 录音带 &放大; 卷轴
YWW
BU
D42D
1
根基
3
Emmitter
2
集电级
4
集电级
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