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资料编号:184458
资料名称:
BUD42D
文件大小: 193.44K
说明
:
介绍
:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
: 点此下载
1
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4
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUD42D
http://onsemi.com
4
典型 静态的 特性
图示 7. base−emitter 饱和 区域
10
1
0.1
100.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 8. base−emitter 饱和 区域
10
1
0.1
100.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
V
是
, 电压 (伏特)
V
是
, 电压 (伏特)
1
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
1
I
C
/i
B
= 5
图示 9. base−emitter 饱和 区域
10
1
0.1
100.10.010.001
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 10. 向前 二极管 电压
10
1
0.1
100.10.01
反转 emitter−collector 电流
V
是
, 电压 (伏特)
向前 二极管 电压 (伏特)
1
I
C
/i
B
= 10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= −20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= −20
°
C
I
C
/i
B
= 8
1
V
ec(v)
= −20
°
C
V
ec(v)
= 125
°
C
V
ec(v)
= 25
°
C
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