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资料编号：184458
 
资料名称：BUD42D
 
文件大小： 193.44K
   
说明：
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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BUD42D
http://onsemi.com
5
典型 切换 特性
图示 11. 电容
1000
10
1
100101
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 12. b
VCER
= f(r
是
)
900
500
300
1000010010
R
是
(
)
c, 电容 (pf)
1000
B
800
600
400
100
C
ib
C
ob
T
J
= 25
°
C
f
(测试)
= 1 mhz
图示 13. resistive 切换, t
在
800
300
0
210
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 14. resistive 切换, t
止
9
3
0
20.50
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
1.5
6
400
t, 时间 (ns)
t, 时间 (ns)
500
200
100
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
h
FE
= 5
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 300 v
P
W
= 40
µ
s
1
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 300 v
P
W
= 40
µ
s
图示 15. inductive 存储 时间,
t
si
@ h
FE
= 5
4
0
0
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 16. inductive 存储 时间,
t
si
@ h
FE
= 10
4
2
210.5
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
1.5
3
1
3
2
t, 时间 ( s)
µ
1
I
Bon
= i
Boff
V
CE
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
700
600
700
T
C
= 25
°
C
(伏特)
VCER
0.5 1.5
h
FE
= 10
0.5 1 1.5 2
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
Bon
= i
Boff
V
CE
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
CER
= 10 毫安
I
CER
= 100 毫安
l
C
= 25 mh
h
FE
= 5
h
FE
= 10
t, 时间 ( s)
µ
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