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资料编号:184458
 
资料名称:BUD42D
 
文件大小: 193.44K
   
说明
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUD42D
http://onsemi.com
6
典型 切换 特性
图示 17. inductive 下降 和 交叉 在 时间,
t
fi
和 t
c
@ h
FE
= 5
100
210
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
图示 18. inductive 下降 时间,
t
fi
@ h
FE
= 10
100
210.5
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
1.5
250
200
150
图示 19. inductive 交叉 在 时间,
t
c
@ h
FE
= 10
图示 20. inductive 存储 时间, t
si
5
1
1243
h
FE
, 强迫 增益
4
3
2
t, 时间 (ns)
t, 时间 ( s)
5
图示 21. inductive 下降 时间, t
f
300
100
1063
h
FE
, 强迫 增益
图示 22. inductive 交叉 在 时间, t
c
300
200
100
1042
h
FE
, 强迫 增益
8
200
t
648
t, 时间 (ns)
t, 时间 (ns)
400
300
200
0.5 1.5
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
Bon
= i
Boff
V
CE
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
cross−over 时间 (ns)
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
t
fi
t
c
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
200
210.5
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
1.5
500
400
300
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
76810911
I
C
= 1 一个
I
C
= 0.3 一个
, 下降 时间 (ns)
fi
759
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
= 1 一个
I
C
= 0.3 一个
I
Bon
= i
Boff
V
CC
= 15 v
V
Z
= 300 v
L
C
= 200
µ
H
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
= 1 一个
I
C
= 0.3 一个
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