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资料编号:184458
 
资料名称:BUD42D
 
文件大小: 193.44K
   
说明
 
介绍:
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
 
 


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BUD42D
http://onsemi.com
9
图示 28. 向前 偏差 safe 运行 范围
10
0.01
100010010
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
图示 29. 反转 偏差 safe 运行 范围
5
3
0
700500400300
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
T
J
= 125
°
C
增益
4
L
C
= 500
H
I
600
1
0.1
4
2
1
, 集电级 电流 (放大器)
C
10
s
1
s
1 ms
5 ms
直流
I , 集电级 电流 (放大器)
C
V
= 0 v V
是(止)
= −1.5 v
V
是(止)
= −5 v
扩展 soa
最大 比率
图示 30. 电源 减额
1
0
1604020
T
C
, 情况 温度 (
°
c)
0.6
0.2
电源 减额 因素
60
80 100 120 140
0.4
0.8
第二 损坏
减额
热的 减额
那里 是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的
一个 晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二
损坏. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
−V
CE
限制 的 这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
运作;i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好
消耗比 这 曲线 表明. 这 数据 的 图示 28 是
为基础 在 t
C
= 25
°
c; t
j(pk)
是 能变的 取决于 在 电源
水平的. 第二 损坏 脉冲波 限制 是 有效的 为 职责
循环 至10% 但是 必须 是 derated 当 t
C
> 25
°
c. 第二
损坏 限制 做 不 减额 像 热的
限制. 容许的 电流 在 这 电压 显示 在
图示 28将 是 建立 在 任何 情况 温度 用 使用 这
适合的 曲线 在 图示 30.
T
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图示 31. 在 任何
情况温度, 热的 限制 将 减少 这 电源
那 能 是 处理 至 值 较少 比 这 限制
imposed 用 第二 损坏. 为 inductive 负载, 高
电压和 电流 必须 是 sustained 同时发生地 在
turn−off和 这 根基 至 发射级 接合面 反转 片面的. 这
safe 水平的 是 指定 作 反转 片面的 safe 运行 范围
(图示29). 这个 比率 是 核实 下面 clamped 情况
所以 那 这 设备 是 从不 subjected 至 一个 avalanche 模式.
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