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资料编号:184927
 
资料名称:BUK101-50GL
 
文件大小: 105.53K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistor Logic level TOPFET
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gl
逻辑 水平的 topfet
图.14. 典型 超载 保护 特性.
情况: v
DD
= 13 v; v
= 5 v; sc 加载 = 30 m
图.15. 典型 夹紧 特性, 25 ˚c.
I
D
= f(v
DS
); 情况: v
= 0 v; t
p
50
µ
s
图.16. 输入 门槛 电压.
V
是(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= 5 v
图.17. 典型 直流 输入 特性.
I
I
= f(v
); 正常的 运作; 参数: t
j
图.18. 典型 直流 输入 特性, t
j
= 25 ˚c.
I
ISL
= f(v
); 超载 保护 运作
I
D
= 0 一个
图.19. 典型 反转 二极管 电流, t
j
= 25 ˚c.
I
S
= f(v
SDS
); 情况: v
= 0 v
-60 -20 20 60 100 140 180 220
tmb / c
buk101-50gl
1
0.5
0
活力 / j
时间 / ms
tj(至)
活力 &放大; 时间
0 2 4 6 8 10
vis / v
ii / ua
buk101-50gl
500
400
300
200
100
0
150 c
tj = 25 c
50 60 70
vis / v
id / 一个
buk101-50gl
30
20
10
0
典型值
0 2 4 6 8
vis / v
iisl / 毫安
buk101-50gl
3
2
1
0
重置
保护 latched
正常的
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
vis(至) / v
2
1
0
最大值
典型值
最小值
0 1 2
vsd / v
是 / 一个
buk101-50gl
100
50
0
january 1993 7 rev 2.600
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