飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk127-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.2. normalised 限制的 电源 消耗.
P
D
% = 100
⋅
P
D
/p
D
(25˚c) = f(t
mb
)
图.3. 持续的 流 电流.
I
D
= f(t
amb
); 情况: v
是
= 5 v
图.4. 典型 在-状态 特性, t
j
= 25˚c.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
是
; t
p
= 300
µ
s
图.5. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)
25˚c = f(t
j
); i
D
= 100 毫安; v
是
= 4.4 v
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25˚c.
R
ds(在)
= f(v
是
); 情况: i
D
= 100 毫安, t
p
= 300
µ
s
图.7. 典型 转移 特性, t
j
= 25˚c.
I
D
= f(v
是
); 情况: v
DS
= 10 v, t
p
= 300
µ
s
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
-50
050
100 150
normalised rds(在) = f(tj)一个
tj / c
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
20 40 60 80 100 120 140
buk127-50dlid / 一个
tamb / c
电流 限制的 occurs
在里面 shaded 区域
典型值
012345678
0
50
100
150
200
250
300
350
rds(在) / mohm buk127-50dl
vis / v
典型值
最大值
0
20
0
0.5
1
1.5
2
id / 一个
vds / v
buk127-50dl
4 8 12 16 28 3224
vis / v =
6
7
4
5
01234567
0
0.5
1
1.5
2
vis / v
id / 一个
buk127-50dl
october 1999 5 rev 1.000
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