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资料编号:184966
 
资料名称:BUK127-50DL
 
文件大小: 96.61K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistor Logic level TOPFET
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk127-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.8. 典型 overtemperature 保护 门槛.
T
j(至)
= f(v
)
图.9. 典型 直流 输入 特性, t
j
= 25˚c.
I
&放大; i
ISL
= f(v
); 正常的 运作 &放大; 保护 latched
图.10. 典型 直流 输入 电流.
I
&放大; i
ISL
= f(t
j
); 参数 v
; 正常的 &放大; latched
图.11. 输入 门槛 电压.
V
是(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= 5 v
图.12. 典型 输入 夹紧 典型的.
I
I
= f(v
); 正常的 运作, t
j
= 25˚c.
图.13. 典型 超载 保护 回馈 时间.
1 / t
dsc
= f(p
D
); v
4 v, t
j
125˚c.
2345678
160
165
170
175
180
185
190
195
200
buk127-50dl
tj(至) / c
vis / v
数据 在下 4v 是 为
信息 仅有的.
所有 规格. 值 是
在 4v 和 在之上.
为 正常的 运作
-50 0 50 100 150
0
1
2
3
4
buk127-50dl
vis(至) / v
tj / c
典型值
最小值
最大值
012345678
0
0.5
1
vis / v
ii / 毫安
Iisl
Iis
0246810
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
buk127-50dl
ii / 毫安
vis / v
-50 0 50 100 150
0
100
200
300
400
500
buk127-50dliis &放大; iisl / ua
tj / c
= iis
= iisl
5V
5V
4V
3V
vis / v =
0102030 50
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1s / tdsc
pd / w
buk127-50dl
5 1525354045
october 1999 6 rev 1.000
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