飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk127-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.14. 典型 保护 重置 电压.
V
ISR
= f(t
j
); t
lr
= 100
µ
s.
图.15. 超（电）压 夹紧 典型的, 25˚c.
I
D
= f(v
DS
); 情况: v
是
= 0 v; t
p
≤
300
µ
s
图.16. 测试 电路 为 resistive 加载 切换 时间.
V
是
= 5 v
图.17. 典型 切换 波形, resistive 加载 .
R
L
= 50
Ω
; 调整 v
DD
至 获得 i
D
= 250 毫安; t
j
= 25˚c
图.18. 典型 流 源 泄漏 电流
I
DSS
= f(t
j
); 情况: v
DS
= 40 v; v
是
= 0 v.
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50 50 150
buk127-50dlvisr / v
tj / c
-25 0 25 75 100 125
VIS
VDS
0
5
10
15
-20 20 40 60
80 100 120
140 160
0
-40
时间 / 美国
vis &放大; vds / v buk127-50dl
56 58 60 62 64 66 68
0
100
200
300
400
buk127-50dlid / 毫安
vds / v
典型值
-50
0
50 100 150
10 ua
1 ua
100 na
10 na
buk127-50dlidss
tj / c
VDD
d.u.t.
0V
VIS
D
S
I
TOPFET
P
RL
VDS
measure
october 1999 7 rev 1.000
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