BUP603D_集成电路资料查询网

半导体 组
7 dec-02-1996
bup 603d
典型值 门 承担
V
GE
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
c puls
= 30 一个
0 20 40 60 80 100 nC 130
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
300 v100 v
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
参数:
V
GE
= 0 v, f = 1 mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
CE
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
短的 电路 safe 运行 范围
I
Csc
=
f
(
V
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= ± 15 v,
t
sc
≤
10 µs, l < 50 nh
0 100 200 300 400 500 600 V 800
V
CE
0
2
4
6
10
I
Csc
/
I
c(90°c)
反转 片面的 safe 运行 范围
I
Cpuls
=
f
(v
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= 15 v
0 100 200 300 400 500 600 V 800
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C

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半导体组 7 dec-02-1996 bup 603d 典型值门承担 V GE = ƒ ( Q 门 ) 参数: I c puls = 30 一个 0 20 40 60 80 100 nC 130 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 V GE 300 v100 v 典型值 capacitances C = f ( V CE ) 参数: V GE = 0 v, f = 1 mhz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 V CE -2 10 -1 10 0 10 1 10 nF C Ciss Coss Crss 短的电路 safe 运行范围 I Csc = f ( V CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = ± 15 v, t sc ≤ 10 µs, l < 50 nh 0 100 200 300 400 500 600 V 800 V CE 0 2 4 6 10 I Csc / I c(90°c) 反转片面的 safe 运行范围 I Cpuls = f (v CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = 15 v 0 100 200 300 400 500 600 V 800 V CE 0.0 0.5 1.0 1.5 2.5 I Cpuls / I C

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