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资料编号:185334
 
资料名称:BUV20
 
文件大小: 142.88K
   
说明
 
介绍:
SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
 
 


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buv20 buv60
http://onsemi.com
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图示 2. 起作用的 区域 safe 运行 范围
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那里 是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的
一个 晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二
损坏. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的 这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
运作 i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好
消耗 比 这 曲线 表明.
这 数据 的 图示 2 是 为基础 在 t
C
= 25
c. t
j(pk)
能变的 取决于 在 电源 水平的. 第二 损坏
限制 做 不 减额 这 一样 作 热的 限制.
在 高 情况 温度, 热的 限制 将 减少
这 电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
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图示 3. “on” 电压 图示 4. 直流 电流 增益
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图示 5. resistive 切换 效能
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图示 6. 切换 时间 测试 电路
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R
C
— 非 inductive 阻抗
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