首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:185557
 
资料名称:BUZ100SL-4
 
文件大小: 89.59K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (Quad-channel Enhancement mode Logic level Avalanche-rated d v/d t rated)
 
 


: 点此下载
  浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号BUZ100SL-4的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3 01/oct/1997
buz 100sl-4
初步的 数据
电的 特性,
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
V
DS
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 7.4 一个
g
fs
20 --
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 2130 2660
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 600 750
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 320 400
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 7.4 一个
R
G
= 2.3
t
d(在)
- 37 55
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 7.4 一个
R
G
= 2.3
t
r
- 67 100
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 7.4 一个
R
G
= 2.3
t
d(止)
- 91 140
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 5 v,
I
D
= 7.4 一个
R
G
= 2.3
t
f
- 42 65
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v,
I
D
0.1 一个,
V
GS
=0 至 1 v
Q
g(th)
- 3 4.5
nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 7.4 一个,
V
GS
=0 至 5 v
Q
g(5)
- 58 86
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 7.4 一个,
V
GS
=0 至 10 v
Q
g(总的)
- 93 140
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 7.4 一个
V
(plateau)
- 2.92 -
V
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com