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半导体 组 3 30/jan/1998
buz 102 s
SPP52N05
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 37 一个
g
fs
10 - -
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 1220 1525
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 410 515
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 210 265
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 52 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
d(在)
- 12 18
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 52 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
r
- 22 33
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 52 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
d(止)
- 30 45
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 52 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
f
- 25 40
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v,
I
D
= 0.1 一个,
V
GS
=0 至 1 v
Q
g(th)
- 1.5 2.8
nC
门 承担 在 7.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 52 一个,
V
GS
=0 至 7 v
Q
g(7)
- 35 55
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 52 一个,
V
GS
=0 至 10 v
Q
g(总的)
- 45 70
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 52 一个
V
(plateau)
- 5.9 -
V

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半导体组 3 30/jan/1998 buz 102 s SPP52N05 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值动态特性跨导 V DS ≥ 2 * I d * R ds(在)最大值, I D = 37 一个 g fs 10 - - S 输入电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C iss - 1220 1525 pF 输出电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C oss - 410 515 反转转移电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C rss - 210 265 转变-在延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 52 一个 R G = 6.8 Ω t d(在) - 12 18 ns 上升时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 52 一个 R G = 6.8 Ω t r - 22 33 转变-止延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 52 一个 R G = 6.8 Ω t d(止) - 30 45 下降时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 52 一个 R G = 6.8 Ω t f - 25 40 门承担在门槛 V DD = 40 v, I D = 0.1 一个, V GS =0 至 1 v Q g(th) - 1.5 2.8 nC 门承担在 7.0 v V DD = 40 v, I D = 52 一个, V GS =0 至 7 v Q g(7) - 35 55 门承担总的 V DD = 40 v, I D = 52 一个, V GS =0 至 10 v Q g(总的) - 45 70 门 plateau 电压 V DD = 40 v, I D = 52 一个 V (plateau) - 5.9 - V

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