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KEMET
®
APPLICAtion 注释 为 multilayer 陶瓷的 电容
应用 注释
Effect 的 temperature:
两个都 电容 和 dissipa-
tion 因素 是 影响 用 变化 在 温度. 这 最大值-
imum 电容 改变 和 温度 是 定义 用 这
temperature 典型的. 不管怎样, 这个 仅有的 定义 一个 “box”
bounded 用 这 upper 和 更小的 运行 温度 和
这 最小 和 最大 电容 值. 在里面 这个
“box”, 这 变化 和 温度 取决于 在之上 这 spe-
cific dielectric formulation. 典型 曲线 为 kemet capaci-
tors 是 显示 在 计算数量 3, 4, 和 5. 这些 计算数量 也
包含 这 典型 改变 在 消耗 因素 为 kemet
电容.
绝缘 阻抗 减少 和 温度.
Typically, 这 绝缘 阻抗 在 最大 评估 temper-
ature 是 10% 的 这 25°c 值.
Effect 的 电压:
类 i 陶瓷的 电容 是 不
affected 用 变化 在 应用 交流 或者 直流 电压. 为 类
ii 和 iii 陶瓷的 电容, 变化 在 电压 影响 仅有的
这 电容 和 消耗 因素. 这 应用 的 直流
电压 高等级的 比 5 vdc 减少 两个都 这 电容 和
消耗 因素. 这 应用 的 交流 电压 向上 至 10-20
V交流 tends 至 增加 两个都 电容 和 消耗 因素.
在 高等级的 交流 电压, 两个都 电容 和 消耗 因素
begin 至 decrease.
Typical 曲线 表明 这 效应 的 应用 交流 和 直流
电压 是 显示 在 图示 6 为 kemet x7r 电容 和
Figure 7 为 kemet z5u 电容.
Effect 的 频率:
频率 affects 两个都 capaci-
tance 和 消耗 因素. 典型 曲线 为 kemet multi-
layer 陶瓷的 电容 是 显示 在 计算数量 8 和 9.
T
he 变化 的 阻抗 和 频率 是 一个 impor-
tant 仔细考虑 在 这 应用 的 multilayer 陶瓷的
电容. 总的 阻抗 的 这 电容 是 这 vector 的 这
电容的 reactance, 这 inductive reactance, 和 这 等效串联电阻, 作
illustrated 在 图示 2. 作 频率 增加, 这 电容的
reactance 减少. 不管怎样, 这 序列 电感 (l)
显示 在 图示 1 生产 inductive reactance, 这个
increases 和 频率. 在 一些 频率, 这 阻抗
ceases 至 是 电容的 和 变为 inductive. 这个 要点, 在
这 bottom 的 这 v-shaped 阻抗 相比 频率
曲线, 是 这 自-resonant 频率. 在 这 自-resonant fre-
quency, 这 reactance 是 零, 和 这 阻抗 组成 的
这 等效串联电阻 仅有的.
Typical 阻抗 相比 频率 曲线 为 kemet
multilayer 陶瓷的 电容 是 显示 在 计算数量 10, 11, 和
12. 这些 曲线 应用 至 kemet 电容 在 碎片 表格, 和-
输出 leads. 含铅的 配置 和 含铅的 长度 有 一个 重大的
impact 在 这 序列 电感. 这 含铅的 电感 是
approximately 10nh/inch, 这个 是 大 对照的 至 这
电感 的 这 碎片. 这 效应 的 这个 额外的 电感
是 一个 decrease 在 这 自-resonant 频率, 和 一个 增加
在 阻抗 在 这 inductive 区域 在之上 这 自-resonant
frequency.
Effect 的 时间:
这 电容 的 类 ii 和 iii
dielectrics 改变 和 时间 作 好 作 和 温度, volt-
age 和 频率. 这个 改变 和 时间 是 知道 作 “aging.”
它 是 造成 用 gradual realignment 的 这 crystalline 结构
的 这 陶瓷的 dielectric 材料 作 它 是 cooled 在下 它的 curie
temperature, 这个 生产 一个 丧失 的 电容 和 时间.
这 变旧 处理 是 predictable 和 跟随 一个 logarithmic
decay. 典型 变旧 比率 为 c0g, x7r, 和 z5u dielectrics
are 作 跟随:
C0G 毫无
X7R 1.0% 每 decade 的 时间
Z5U 5.0% 每 decade 的 时间
Typical 变旧 曲线 为 x7r 和 z5u dielectrics 是
显示 在 图示 13.
这 变旧 处理 是 reversible. 如果 这 电容 是 热温-
ed 至 一个 温度 在之上 它的 curie 要点 为 一些 时期 的
时间, de-变旧 将 出现 和 这 电容 将 regain 这
电容 lost 在 这 变旧 处理. 这 数量 的 de-
变旧 取决于 在 两个都 这 提升 温度 和 这
长度 的 时间 在 那 温度. 暴露 至 150°c 为 一个-
half 小时 或者 125°c 为 二 小时 是 通常地 sufficient 至 返回
这 电容 至 它的 最初的 值.
因为 这 电容 改变 迅速 立即
之后 de-变旧, 电容 度量 是 通常地 delayed
为 在 least 10 小时 之后 这 de-变旧 process, 这个 是 常常
referred 至 作 这 “last 热温.” 在 增加, manufacturers utilize
效应 的 应用 电压
0.1
1
10
100
交流 或者 直流 伏特 应用
典型 影响 的 1000 hz 交流 和 直流 电压 水平的 在
电容 和 消耗 因素 - z5u
便条: c0g dielectric 电容 和 消耗 因素 是
稳固的 和 电压.
图示 7.
1
2
3
4
+20
0
-20
-40
-60
1
2
3
4
+10
+5
0
-5
-10
0.1
1
10
100
交流 或者 直流 伏特 应用
典型 影响 的 1000 hz 交流 和 直流 电压 水平的 在
电容 和 消耗 因素 - x7r
便条: c0g dielectric 电容 和 消耗 因素 是
稳固的 和 电压.
图示 6.
直流
交流
交流
直流
% d.f. % 电容 改变
% d.f. % 电容 改变
直流
交流
交流
直流
0988 布局 rev 8/9/2000 9:54 am 页 37
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