k6r4004c1c-c, k6r4004c1c-i, k6r4004c1c-e
cmos sram
初步的
rev 3.0
- 5 -
march 2000
写 cycle*
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 扩展 和 工业的 温度 范围.
参数 标识
k6r4004c1c-10 k6r4004c1c-12 k6r4004c1c-15 k6r4004c1c-20
单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
写 循环 时间 tWC 10 - 12 - 15 - 20 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 tCW 7 - 8 - 10 - 12 - ns
地址 设置-向上 时间 t作 0 - 0 - 0 - 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写 tAW 7 - 8 - 10 - 12 - ns
写 脉冲波 宽度(OE高) tWP 7 - 8 - 10 - 12 - ns
写 脉冲波 宽度(OE低) tWP1 10 - 12 - 15 - 20 - ns
写 恢复 时间 tWR 0 - 0 - 0 - 0 -
ns
写 至 输出 高-z tWHZ 0 5 0 6 0 7 0 9 ns
数据 至 写 时间 overlap tDW 5 - 6 - 7 - 9 - ns
数据 支撑 从 写 时间 tDH 0 - 0 - 0 - 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z tOW 3 - 3 - 3 - 3 - ns
地址
数据 输出
previous 有效的 数据
有效的 数据
timming 图解
定时 波形 的 读 循环(1)
(地址 控制,CS=OE=VIL,我们=VIH)
tAA
tRC
tOH
定时 波形 的 读 循环(2)
(我们=VIH)
CS
地址
OE
数据 ou
t
tAA
tOLZ
tlz(4,5)
tOH
tOHZ
tRC
tOE
tCO
tPU
tPD
thz(3,4,5)
50%
50%
VCC
电流
ICC
ISB
有效的 数据
注释
(读 循环)
1.我们是 高 为 读 循环.
2. 所有 读 循环 定时 是 关联 从 这 last 有效的 地址 至 这 第一 转变 地址.
3. tHZ和 tOHZ是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 vOH或者 vOL
水平.
4. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, tHZ(最大值.) 是 较少 比 tLZ(最小值.) 两个都 为 一个 给 设备 和 从 设备 至
设备.
5. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 电压 和 加载(b). 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
6. 设备 是 continuously 选择 和CS=Vil.
7. 地址 有效的 较早的 至 coincident 和CS转变 低.
8. 为 一般 i/o 产品, minimization 或者 除去 的 总线 contention 情况 是 需要 在 读 和 写 cycle.
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