2003 Sep 04 2
飞利浦 半导体 产品 规格
反相器 74ahc1g04; 74ahct1g04
特性
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
静电释放 保护:
– hbm eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
– mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 V
– cdm eia/jesd22-c101 超过 1000 v.
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
非常 小 5-管脚 包装
•
指定 从
−
40 至 +85
°
c 和
−
40 至 +125
°
c.
描述
这 74ahc1g04/74ahct1g04 是 高-速 si-门
cmos 设备.
这 74ahc1g04/74ahct1g04 提供 这 反相的
缓存区.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 加载 切换 输出;
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
标识 参数 情况
典型
单位
74AHC1G04 74AHCT1G04
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 输入 一个 至 输出 Y C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 V 3.1 3.4 ns
C
I
输入 电容 1.5 1.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 C
L
= 50 pf; f = 1 mhz;
注释 1 和 2
15 16 pF
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