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资料编号:194745
 
资料名称:AS4C1M16F5
 
文件大小: 485.28K
   
说明
 
介绍:
5V 1M X 16 CMOS DRAM
 
 


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AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
alliance 半导体
p. 20 的 21
®
电容
15
ƒ = 1 mhz, t
一个
= 房间 温度
as4c1m16f5 订货 信息
参数 标识 信号 测试 情况 最大值 单位
输入 电容
C
IN1
a0 至 a9 V
= 0v 5 pF
C
IN2
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
我们
,
OE
V
= 0v 7 pF
dq 电容 C
DQ
dq0 至 dq15 V
= v
输出
= 0v 7 pF
Package \
RAS
进入 时间 50 ns 60 ns
塑料 soj, 400 mil, 42-管脚 5V
as4c1m16f5-50jc
as4c1m16f5-50ji
as4c1m16f5-60jc
as4c1m16f5-60ji
tsop ii, 400 mil, 44/50-管脚 5V
as4c1m16f5-50tc
as4c1m16f5-50ti
as4c1m16f5-60tc
as4c1m16f5-60ti
包围的 温度 (°c)
060
80
4020
0.0
0.5
1.5
2.0
1.0
2.5
3.0
3.5
保卫-用 电流 (毫安)
典型 ttl 保卫-用 电流 i
CC2
输出 电压 (v)
0.0 1.5
2.0
1.00.5
0.0
10
30
40
20
50
60
70
输出 下沉 电流 (毫安)
典型 输出 下沉 电流 i
OL
输出 电压 (v)
0.0 3.0
4.0
2.01.0
0.0
10
30
40
20
50
60
70
输出 源 电流 (毫安)
典型 输出 源 电流 i
OH
vs. 输出 电压 v
OL
vs. 输出 电压 v
OH
vs. 包围的 温度 t
一个
hyper 页 模式 电流 (毫安)
包围的 温度 (°c)
060
80
4020
0.0
20
60
80
40
100
120
140
hyper 页 模式 电流 (毫安)
典型 hyper 页 模式 电流 i
CC4
供应 电压 (v)
4.0 5.5 6.05.04.5
0.0
20
60
80
40
100
120
140
典型 hyper 页 模式 电流 i
CC4
vs. 供应 电压 v
CC
vs. 包围的 温度 t
一个
-50
-60
-50
-60
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