AS4C1M16F5_集成电路资料查询网

AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
alliance 半导体
p. 5 的 21
®
写 循环
读-modify-写 循环
refresh 循环
标识 参数
-50 -60
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
WCS
 写 command 建制 时间 0 – 0 – ns 11
t
WCH
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t
WP
 写 command 脉冲波 宽度 10 – 10 – ns
t
RW L
 写 command 至
RAS
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t
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 写 command 至
CAS
含铅的 时间 8 – 10 – ns
t
DS
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t
DH
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标识 参数
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单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
RW C
 读-写 循环 时间 113 – 135 – ns
t
RW D
RAS
至
我们
延迟 时间 67 – 77 – ns 11
t
CWD
CAS
至
我们
延迟 时间 32 – 35 – ns 11
t
AW D
 column 地址 至
我们
延迟 时间 42 – 47 – ns 11
标识 参数
-50 -60
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
CSR
CAS
建制 时间 (
CAS
-在之前-
RAS
)5–5–ns3
t
CHR
CAS
支撑 时间 (
CAS
-在之前-ras)8–10–ns3
t
RPC
RASprecharge 至
CAS
支撑 时间 0–0–ns
t
CPT
CAS
precharge 时间
(cbr 计数器 测试)
10 10 – ns

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AS4C1M16F5 4/11/01; v.0.9.1 alliance 半导体 p. 5 的 21 ® 写循环读-modify-写循环 refresh 循环标识参数 -50 -60 单位注释最小值最大值最小值最大值 t WCS 写 command 建制时间 0 – 0 – ns 11 t WCH 写 command 支撑时间 10 – 10 – ns 11 t WP 写 command 脉冲波宽度 10 – 10 – ns t RW L 写 command 至 RAS 含铅的时间 10 – 10 – ns t CWL 写 command 至 CAS 含铅的时间 8 – 10 – ns t DS 数据-在建制时间 0 – 0 – ns 12 t DH 数据-在支撑时间 8 – 10 – ns 12 标识参数 -50 -60 单位注释最小值最大值最小值最大值 t RW C 读-写循环时间 113 – 135 – ns t RW D RAS 至我们延迟时间 67 – 77 – ns 11 t CWD CAS 至我们延迟时间 32 – 35 – ns 11 t AW D column 地址至我们延迟时间 42 – 47 – ns 11 标识参数 -50 -60 单位注释最小值最大值最小值最大值 t CSR CAS 建制时间 ( CAS -在之前- RAS )5–5–ns3 t CHR CAS 支撑时间 ( CAS -在之前-ras)8–10–ns3 t RPC RASprecharge 至 CAS 支撑时间 0–0–ns t CPT CAS precharge 时间 (cbr 计数器测试) 10 10 – ns

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