4 meg x 4 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d47.pm5 – rev. 3/97
1997, micron 技术, 公司
5
4 meg x 4
edo dram
技术, 公司
真实 表格
地址 数据-在/输出
函数 RAS# CAS# WE# OE#
t
R
t
C dq1-dq4
备用物品 H H
→
XXXXX 高-z
读 L L H L 行 COL 数据-输出
early 写 L L L X 行 COL 数据-在
读 写 L L H
→
LL
→
H 行 COL 数据-输出, 数据-在
edo-页-模式 1st 循环 L H
→
L H L 行 COL 数据-输出
读 2nd 循环 L H
→
L H L n/一个 COL 数据-输出
edo-页-模式 1st 循环 L H
→
L L X 行 COL 数据-在
early 写 2nd 循环 L H
→
L L X n/一个 COL 数据-在
任何 循环 L L
→
H H L n/一个 n/一个 数据-输出
edo-页-模式 1st 循环 L H
→
LH
→
LL
→
H 行 COL 数据-输出, 数据-在
读-写 2nd 循环 L H
→
LH
→
LL
→
H n/一个 COL 数据-输出, 数据-在
HIDDEN 读 L
→
H
→
L L H L 行 COL 数据-输出
REFRESH 写 L
→
H
→
L L L X 行 COL 数据-在
ras#-仅有的 refresh L H X X 行 n/一个 高-z
cbr refresh H
→
L L H X X X 高-z
自 refresh H
→
L L H X X X 高-z
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