4 meg x 4 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d47.pm5 – rev. 3/97
1997, micron 技术, 公司
6
4 meg x 4
edo dram
技术, 公司
绝对 最大 ratings*
电压 在 v
CC
管脚 相关的 至 v
SS
:
3.3v ................................................................ -1v 至 +4.6v
5V ...................................................................... -1v 至 +7v
电压 在 nc, 输入 或者 i/o 管脚 相关的 至 v
SS
:
3.3v ................................................................ -1v 至 +5.5v
5V ...................................................................... -1v 至 +7v
运行 温度, t
一个
(包围的) .......... 0
°
c 至 +70
°
C
存储 温度 (塑料) .................... -55
°
c 至 +150
°
C
电源 消耗 ............................................................. 1W
短的 电路 输出 电流 ..................................... 50mA
*stresses 更好 比 那些 列表 下面 “absolute maxi-
mum ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.
这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 indi-
cated 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况
为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
直流 电的 特性 和 运行 情况
(注释: 1)
3.3v 5V
参数/情况 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
供应 电压 V
CC
3.0 3.6 4.5 5.5 V
输入 高 电压:
有效的 逻辑 1; 所有 输入, i/os 和 任何 nc V
IH
2.0 5.5 2.4 V
CC
+1 V
输入 低 电压:
有效的 逻辑 0; 所有 输入, i/os 和 任何 nCV
IL
-1.00.8-
0
.
5
0.8V
输入 泄漏 电流:
任何 输入 在 v
在
(0v
≤
V
在
≤
V
IH
[max]); I
I
-2 2 -2 2
µ
一个 4
所有 其它 管脚 不 下面 测试 = 0v
输出 高 电压:
I
输出
= -2ma (3.3v), -5ma (5v) V
OH
2.4 - 2.4 - V
输出 低 电压:
I
输出
= 2ma (3.3v), 4.2ma (5v) V
OL
- 0.4 - 0.4 V
输出 泄漏 电流:
任何 输出 在 v
输出
(0v
≤
V
输出
≤
5.5v); I
OZ
-5 5 -5 5
µ
一个
dq 是 无能 和 在 高-z 状态
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