4 meg x 4 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d47.pm5 – rev. 3/97
1997, micron 技术, 公司
7
4 meg x 4
edo dram
技术, 公司
icc 运行 情况 和 最大 限制
(注释: 1, 2, 3)
3.3v 5V
2K 4K 2K 4K
参数/情况 SYM 速 Refresh Refresh Refresh Refresh 单位 注释
备用物品 电流: ttl I
CC
1
ALL1111mA
(ras# = cas# = v
IH
)
备用物品 电流: cmos (非-s 版本 仅有的) I
CC
2
所有 500 500 500 500
µ
一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
CC
-0.2v)
备用物品 电流: cmos (s 版本 仅有的) I
CC
2
所有 150 150 150 150
µ
一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
CC
-0.2v)
运行 电流: 随机的 读/写 -5 110 90 140 120 毫安 5, 6
平均 电源 供应 电流 I
CC
3
-6 100 80 130 110
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
运行 电流: edo 页 模式 -5 110 100 110 100 毫安 5, 6
平均 电源 供应 电流 (ras# = v
IL
,i
CC
4
-6 100 90 100 90
cas#, 地址 cycling:
t
pc =
t
pc [min])
refresh 电流: ras#-仅有的 -5 110 90 140 120 毫安 5, 6
平均 电源 供应 电流 I
CC
5
-6 100 80 130 110
(ras# cycling, cas# = v
IH
:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: cbr -5 110 90 140 120 毫安 5, 7
平均 电源 供应 电流 I
CC
6
-6 100 80 130 110
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: 扩展 (s 版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cas# = 0.2v 或者 所有 300 300 300 300
µ
一个 5, 7
cbr cycling; ras# =
t
ras (最小值); we# = I
CC
7
V
CC
-0.2v; a0-a11,oe# 和 d
在
= v
CC
-0.2v 或者
t
RC 62.5 31.25 62.5 31.25
µ
s25
0.2v (d
在
将 是 left 打开)
refresh 电流: 自 (s 版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cbr 和
RAS#
≥
t
rass (最小值) 和 cas# 使保持 低; we# = I
CC
8
所有 300 300 300 300
µ
一个 5, 7
V
CC
-0.2v; a0-a11, oe# 和 d
在
= v
CC
-0.2v
或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开)
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