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资料编号:202700
 
资料名称:MT4C4M4E9TG
 
文件大小: 291.14K
   
说明
 
介绍:
4 MEG x 4 EDO DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4 meg x 4 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d47.pm5 – rev. 3/97
1997, micron 技术, 公司
21
4 meg x 4
edo dram
技术, 公司
自 refresh 循环
(地址 和 oe# = don’t 小心)
V
V
IH
IL
RAS#
t
RASS
打开
V
V
IH
IL
V
V
OH
OL
DQ
t
RPC
t
CHD
t
RPS
t
RPC
t
RP
t
CP
CAS#
,
,,,
,,
WE#
V
V
IH
IL
t
WRH
t
WRP
,,
,,
,,,
,,,,
,,,,
,,
t
WRH
t
WRP
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
(
)
便条 1
t
CSR
,,
,,,,
,,,
,,,
,,,
,
,,
,,
don't 小心
未阐明的
t
CP
便条 2
(
)
(
)
(
)
(
)
便条:
1. Once
t
rass (最小值) 是 符合 和 ras# 仍然是 低, 这 dram 将 enter 自 refresh 模式.
2. Once
t
rps 是 satisfied, 一个 完全 burst 的 所有 rows 应当 是 executed.
-5 -6
标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RPC 5 5 ns
t
RPS 90 105 ns
t
WRH 8 10 ns
t
WRP 8 10 ns
定时 参数
-5 -6
标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
CHD 15 15 ns
t
CP 8 10 ns
t
CSR 5 5 ns
t
RASS 100 100
µ
s
t
RP 30 40 ns
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