18 Am29F010
直流 特性
ttl/nmos 兼容
注释:
1. 这 i
CC
电流 列表 是 典型地 较少 比 2 毫安/mhz, 和 oe# 在 v
IH
.
2. I
CC
起作用的 当 embedded 程序 或者 embedded 擦掉 algorithm 是 在 progress.
3. 不 100% 测试.
参数
标识 参数 描述 测试 描述 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= v
SS
至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1.0
µ
一个
I
LIT
a9 输入 加载 电流 V
CC
= v
CC
最大值, a9 = 12.5 v 50
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 V
输出
= v
SS
至 v
CC
, v
CC
= v
CC
最大值
±
1.0
µ
一个
I
CC1
V
CC
起作用的 电流 (便条 1) ce# = v
il,
oe# = v
ih,
V
CC
= v
CC
最大值 30 毫安
I
CC2
V
CC
起作用的 电流 (注释 2, 3) ce# =
V
il,
oe# =
V
ih,
V
CC
= v
CC
最大值 50 毫安
I
CC3
V
CC
备用物品 电流 V
cc =
V
CC
最大值,
ce# 和 oe# =
V
IH
1.0 毫安
V
IL
输入 低 电压
–0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
CC
+ 0.5 V
V
ID
电压 为 autoselect 和
temporary sector unprotect
V
CC
= 5.0 v 11.5 12.5 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 12 毫安, v
CC
= v
CC
最小值 0.45 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –2.5 毫安, v
CC
= v
CC
最小值 2.4 V
V
LKO
低 v
CC
锁-输出 电压 3.2 4.2 V
: 点此下载
