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资料编号:208881
 
资料名称:MX29LV160BBTC-70
 
文件大小: 762.21K
   
说明
 
介绍:
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
 
 


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p/n:pm1041
mx29lv160bt/bb
rev. 1.2, jul. 01, 2004
R
29lv160bt/bb-70 29lv160bt/bb-90
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tWC 写 循环 时间 (便条 1) 70 90 ns
tAS 地址 建制 时间 0 0 ns
tAH 地址 支撑 时间 45 45 ns
tDS 数据 建制 时间 35 45 ns
tDH 数据 支撑 时间 0 0 ns
tOES 输出 使能 建制 时间 0 0 ns
tGHWL 读 恢复 时间 在之前 写 0 0 ns
(oe 高 至 我们 低)
tCS ce 建制 时间 0 0 ns
tCH ce 支撑 时间 0 0 ns
tWP 写 脉冲波 宽度 35 35 ns
tWPH 写 脉冲波 宽度 高 30 30 ns
tWHWH1 程序编制 运作 (便条 2) 9/11(典型值.) 9/11(典型值.) 美国
(字节/文字 程序 时间)
tWHWH2 sector 擦掉 运作 (便条 2) 0.7(典型值.) 0.7(典型值.)
tVCS vcc 建制 时间 (便条 1) 50 50 美国
tRB 恢复 时间 从 ry/用 0 0 ns
tBUSY sector 擦掉 有效的 至 ry/用 延迟 90 90 ns
碎片 擦掉 有效的 至 ry/用 延迟 90 90 ns
程序 有效的 至 ry/用 延迟 90 90 ns
tWPP1 写 脉冲波 宽度 为 sector 100ns 10us(典型值.) 100ns 10us(典型值.)
保护 (a9, oe 控制)
tWPP2 写 脉冲波 宽度 为 sector 100ns 12ms(典型值.) 100ns 12ms(典型值.)
unprotect (a9, oe 控制)
tVLHT 电压 转变 时间 4 4 美国
tOESP oe 建制 时间 至 我们 起作用的 4 4 美国
注释:
1. 不 100% 测试.
2. 看 这 "擦掉 和 程序编制 效能" 部分 为 更多 信息.
表格 11. 擦掉/程序 行动
交流 特性 ta = -40
o
c 至 85
o
c, vcc = 2.7v~3.6v
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