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资料编号:208936
 
资料名称:MX29LV040QC-70
 
文件大小: 713.24K
   
说明
 
介绍:
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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p/n:pm0722
MX29LV040
rev. 0.7, jul. 12, 2001
交流 特性 ta = -40
o
c 至 85
o
c, vcc = 2.7v~3.6v
(ta = 0
o
c 至 70
o
c, vcc = 3.3v
±±
±±
±
5% 为 mx29lv040-55r)
表格 11. 擦掉/程序 行动
29lv040-55r 29lv040-70 29lv040-90
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tWC 写 循环 时间 (便条 1) 55 70 90 ns
tAS 地址 建制 时间 0 0 0 ns
tAH 地址 支撑 时间 45 45 45 ns
tDS 数据 建制 时间 35 35 45 ns
tDH 数据 支撑 时间 0 0 0 ns
tOES 输出 使能 建制 时间 0 0 0 ns
tGHWL 读 恢复 时间 在之前 写 0 0 0 ns
(oe 高 至 我们 低)
tCS ce 建制 时间 0 0 0 ns
tCH ce 支撑 时间 0 0 0 ns
tWP 写 脉冲波 宽度 35 35 35 ns
tWPH 写 脉冲波 宽度 高 30 30 30 ns
tWHWH1 程序编制 运作 (便条 2) 9(典型值.) 9(典型值.) 9(典型值.) 美国
tWHWH2 sector 擦掉 运作 (便条 2) 0.7(典型值.) 0.7(典型值.) 0.7(典型值.)
tVCS vcc 建制 时间 (便条 1) 50 50 50 美国
tRB 恢复 时间 从 ry/用 0 0 0 ns
tBUSY 程序/擦掉 vaild 至 ry/用 延迟 90 90 90 美国
注释:
1. 不 100% 测试.
2. 看 这 "擦掉 和 程序编制 效能" 部分 为 更多 信息.
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