MT4LC8M8P4TG-5_集成电路资料查询网

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8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
8 meg x 8
edo dram
ras#-仅有的 refresh 循环
(oe# 和 we# = don’t 小心)
行
V
V
IH
IL
CAS#
V
V
IH
IL
地址
V
V
IH
IL
RAS#
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CRP
t
ASR
t
RAH
行
打开
DQ
V
V
OH
OL
t
RPC
cbr refresh 循环
(地址 和 oe# = don’t 小心)
t
RP
V
V
IH
IL
RAS#
t
RAS 便条 1
打开
t
CHR
t
CSR
V
V
IH
IL
V
V
OH
OL
CAS#
DQ
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CSR
t
RPC
t
CHR
t
CP
V
V
IH
IL
t
WRP
t
WRH
WE#
t
WRP
t
WRH
don’t 小心
未阐明的
定时 参数
-5 -6
标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
ASR 0 0 ns
t
CHR 8 10 ns
t
CP 8 10 ns
t
CRP 5 5 ns
t
CSR 5 5 ns
t
RAH 9 10 ns
-5 -6
标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
RAS 50 10,000 60 10,000 ns
t
RC 84 104 ns
t
RP 30 40 ns
t
RPC 5 5 ns
t
WRH 8 10 ns
t
WRP 8 10 ns
便条:
1. 终止 的 第一 cbr refresh 循环.

标　题:
内　容:
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18 8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这正确的至改变产品或者规格没有注意. d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司 8 meg x 8 edo dram ras#-仅有的 refresh 循环 (oe# 和 we# = don’t 小心) 行 V V IH IL CAS# V V IH IL 地址 V V IH IL RAS# t RC t RAS t RP t CRP t ASR t RAH 行打开 DQ V V OH OL t RPC cbr refresh 循环 (地址和 oe# = don’t 小心) t RP V V IH IL RAS# t RAS 便条 1 打开 t CHR t CSR V V IH IL V V OH OL CAS# DQ t RP t RAS t RPC t CSR t RPC t CHR t CP V V IH IL t WRP t WRH WE# t WRP t WRH don’t 小心未阐明的定时参数 -5 -6 标识最小值最大值最小值最大值单位 t ASR 0 0 ns t CHR 8 10 ns t CP 8 10 ns t CRP 5 5 ns t CSR 5 5 ns t RAH 9 10 ns -5 -6 标识最小值最大值最小值最大值单位 t RAS 50 10,000 60 10,000 ns t RC 84 104 ns t RP 30 40 ns t RPC 5 5 ns t WRH 8 10 ns t WRP 8 10 ns 便条: 1. 终止的第一 cbr refresh 循环.

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