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资料编号:210424
 
资料名称:MT4LC8M8P4TG-5
 
文件大小: 397.75K
   
说明
 
介绍:
DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3
8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
8 meg x 8
edo dram
uniquely addressed 通过 这 地址 位. 第一, 这 行
地址 是 latched 用 这 ras# 信号, 然后 这 column
地址 是 latched 用 cas#. 两个都 设备 提供 edo-
页-模式 运作, 准许 为 快 successive
数据 行动 (读, 写, 或者 读-modify-
写) 在里面 一个 给 行.
这 8 meg x 8 dram 必须 是 refreshed periodically
在 顺序 至 retain 贮存 数据.
dram 进入
各自 location 在 这 dram 是 uniquely addressable,
作 提到 在 这 一般 描述. 这 数据 为
各自 location 是 accessed 通过 这 第八 i/o 管脚 (dq0-
dq7). 一个 逻辑 高 在 we# dictates 读 模式, 当
一个 逻辑 低 在 we# dictates 写 模式. 在 一个
写 循环, 数据-在 (d) 是 latched 用 这 下落 边缘
的 we# 或者 cas#, whichever occurs last. 一个 early
写 occurs 当 we# 是 带去 低 较早的 至 cas#
下落. 一个 late 写 或者 读-modify-写 occurs
当 we# falls 之后 cas# 是 带去 低. 在
early 写 循环, 这 数据 输出 (q) 将 仍然是
高-z, regardless 的 这 状态 的 oe#. 在 late
写 或者 读-modify-写 循环, oe# 必须 是
带去 高 至 使不能运转 这 数据 输出 较早的 至 应用-
ing 输入 数据. 如果 一个 late 写 或者 读-modify-
写 是 attempted 当 keeping oe# 低, 非 写
将 出现, 和 这 数据 输出 将 驱动 读 数据
从 这 accessed location.
图示 1
oe# 控制 的 dqs
edo 页 模式
dram 读 循环 有 traditionally 转变 这
输出 缓存区 止 (高-z) 和 这 rising 边缘 的
cas#. 如果 cas# went 高 和 oe# 是 低 (起作用的),
这 输出 缓存区 将 是 无能. 这 8 meg x 8
dram 提供 一个 accelerated 页 模式 循环 用 elimi-
nating 输出 使不能运转 从 cas# 高. 这个 选项 是
called edo, 和 它 准许 cas# precharge 时间 (
t
cp) 至
出现 没有 这 输出 数据 going invalid (看 读
和 edo-页-模式 读 波形 在 这 指出
附录).
edo 运作 像 任何 dram 读 或者 快-页-
模式 读, 除了 数据 是 使保持 有效的 之后 cas#
变得 高, 作 长 作 ras# 和 oe# 是 使保持 低 和
we# 是 使保持 高. oe# 能 是 brought 低 或者 高
当 cas# 和 ras# 是 低, 和 这 dqs 将
转变 在 有效的 数据 和 高-z. 使用 oe#,
那里 是 二 方法 至 使不能运转 这 输出 和 保持
它们 无能 在 这 cas# 高 时间. 这 第一
方法 是 至 有 oe# 高 当 cas# transitions
高 和 保持 oe# 高 为
t
oehc thereafter. 这个
将 使不能运转 这 dqs, 和 它们 将 仍然是 无能
(regardless 的 这 状态 的 oe# 之后 那 要点) 直到
cas# falls 又一次. 这 第二 方法 是 至 有 oe#
低 当 cas# transitions 高 和 然后 bring oe#
高 为 一个 最小 的
t
oep anytime 在 这 cas#
高 时期. 这个 将 使不能运转 这 dqs, 和 它们 将
仍然是 无能 (regardless 的 这 状态 的 oe# 之后 那
要点) 直到 cas# falls 又一次 (看 图示 1). 在
V
V
IH
IL
CAS#
V
V
IH
IL
RAS#
V
V
IH
IL
地址
column (一个)
column (b)
don’t 小心
未阐明的
V
V
IH
IL
OE#
V
V
IOH
IOL
打开
DQ
t
OD
有效的 数据 (b)
有效的 数据 (一个)
column (c)
有效的 数据 (一个)
t
OE
有效的 数据 (c)
column (d)
有效的 数据 (d)
t
OD
t
OEHC
t
OD
t
OEP
t
OES
这 dqs go 后面的 至
低-z 如果
t
oes 是 符合.
这 dqs 仍然是 高-z
直到 这 next cas# 循环
如果
t
oehc 是 符合.
这 dqs 仍然是 高-z
直到 这 next cas# 循环
如果
t
oep 是 符合.
一般 描述 (持续)
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