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8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
8 meg x 8
edo dram
绝对 最大 ratings*
电压 在 v
CC
相关的 至 v
SS
................ -1v 至 +4.6v
电压 在 nc, 输入 或者 i/o 管脚
相关的 至 v
SS
....................................... -1v 至 +4.6v
运行 温度, t
一个
(包围的) ... 0°c 至 +70°c
存储 温度 (塑料) ............ -55°c 至 +150°c
电源 消耗 ................................................... 1W
*stresses 更好 比 那些 列表 下面 “absolute
最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至
这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的, 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的
这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将
影响 可靠性.
直流 电的 特性 和 运行 情况
(便条: 1) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
参数/情况 标识 最小值 最大值 单位 注释
供应 电压 V
CC
3 3.6 V
输入 高 电压:
有效的 逻辑 1; 所有 输入, i/os 和 任何 nc V
IH
2V
CC
+ 0.3 V 26
输入 低 电压:
有效的 逻辑 0; 所有 输入, i/os 和 任何 nc V
IL
-0.3 0.8 V 26
输入 泄漏 电流:
任何 输入 在 v
在
(0v
≤
V
在
≤
V
CC
+ 0.3v); I
I
-2 2 µA 27
所有 其它 管脚 不 下面 测试 = 0v
输出 高 电压:
I
输出
= -2ma V
OH
2.4–v
输出 低 电压:
I
输出
= 2ma V
OL
– 0.4 V
输出 泄漏 电流:
任何 输出 在 v
输出
(0v
≤
V
输出
≤
V
CC
+ 0.3v); I
OZ
-5 5 µA
dq 是 无能 和 在 高-z 状态
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