–19–rev. 0
adsp-2191m
绝对 最大 比率
静电释放 敏锐的
电源 消耗
使用 这 运作-相比-电流 信息 在表格 8, designers 能 估计 这 adsp-2191m’s 内部的 电源 供应
(v
DDINT
) 输入 电流 为 一个 明确的 application, 符合 至 这 formula 为 i
DDINT
计算 beneath表格 8. 为 计算
的 外部 供应 电流 和 总的 供应 电流,看 电源 消耗 在 页 41.
V
DDINT
内部的 (核心) 供应 电压
1,2
. . –0.3 v 至 3.0 v
1
规格 主题 至 改变 没有 注意.
2
压力 更好 比 那些 列表 在之上 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备.
这些 是 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 更好 比 那些 indicated 在 这 运算的 sections 的 这个
规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
V
DDEXT
外部 (i/o) 供应 电压 . . . . –0.3 v 至 4.6 v
V
IL
–V
IH
输入 电压 . . . . . . . .–0.5 v 至 v
DDEXT
+0.5 v
V
OL
–V
OH
输出 电压 摆动.–0.5 v 至 v
DDEXT
+0.5 v
T
STORE
存储 温度 范围. . . . . .–65ºc 至 150ºc
T
含铅的
含铅的 温度 的 st-144 (5 秒) . . . . 185ºC
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 device. 静电的 charges 作 高 作 4000v
readily accumulate 在 这 human 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有
发现. 虽然 这 adsp-2191m 特性 proprietary 静电释放 保护 电路系统,
永久的 损坏 将 出现 在 设备subjected 至 高-活力 静电的
discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐 至 避免 perfor-
mance 降级 或者 丧失 的 符合实际.
表格 8. 运作 类型 相比 输入 current
k-等级
I
DDINT
(毫安) cclk = 160 mhz
b-等级
I
DDINT
(毫安)
1
cclk = 140 mhz
核心 附带的 核心 附带的
Activity 典型值
1
1
测试 情况: v
DDINT
= 2.50 v; hclk (附带的 时钟) 频率 = cclk/2 (core clock/2) frequency; t
AMB
= 25ºc.
最大值
2
2
测试 情况: v
DDINT
= 2.65 v; hclk (附带的 时钟) 频率 = cclk/2 (core clock/2) frequency; t
AMB
= 25ºc.
Ty p
1
最大值
2
Ty p
1
最大值
2
Ty p
1
最大值
2
电源 向下
3
3
pll, 核心, 附带的 clocks, 和 clkin 是 无能.
100µA 600µA 0 50µA 100µA 500µA 0 50µA
空闲 1
4
4
pll 是 使能 和 核心 和 附带的 clocks 是 无能.
12581247
空闲 2
5
5
核心 clk 是 无能 和 附带的 时钟 是 使能.
126070125562
Typic一个l
6
6
所有 说明 execute 从 内部的 记忆. 50% 的 这 instructions 是 repeat macs 和 双 operand 寻址, 和 changing 数据 fetched 使用
一个 直线的 地址 sequence. 50% 的 这 说明 是 类型 3 说明.
184 210 60 70 165 185 55 62
顶峰
7
7
所有 说明 execute 从 内部的 记忆. 100% 的 这 instructions 是 macs 和 双 operand 寻址, 和 changing data fetched 使用 一个 直线的
地址 sequence.
215 240 60 70 195 210 55 62
I
DDINT
%Typical
I
ddint-典型
×()
=
%Idle
I
ddint-空闲
×()
%power 向下
I
ddint-pwrdwn
×()
++
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