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资料编号:218174
 
资料名称:CEM4804
 
文件大小: 54.91K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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30
n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
初步的
特性
30V , 7.9a , R
ds(在)
=20m @V
GS
=10v.
超级的 dense cell 设计 极其 R
ds(在)
.
电源 电流 handing 能力.
表面 挂载 包装.
绝对 最大 比率 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
限制 单位
流-源 电压
V
DS
V
门-源 电压
V
GS
20
V
电流-持续的
-搏动
I
D
7.9
24
2
2
一个
一个
一个
W
I
DM
流-源 二极管 向前 电流
I
S
最大 电源 消耗
P
D
运行 接合面 存储
温度 范围
T
J
,t
STG
-55 150
C
热的 特性
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
R
JA
62.5
/w
C
R
ds(在)
=30m @V
GS
=4.5v.
CEM4804
一个
一个
一个
一个
1234
8765
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
所以-8
1
5-98
5
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