关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:218174
资料名称:
CEM4804
文件大小: 54.91K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
30
双
n-频道
增强
模式
地方
效应
晶体管
初步的
特性
30V
,
7.9a
,
R
ds(在)
=20m
@V
GS
=10v.
超级的
高
dense
cell
设计
为
极其
低
R
ds(在)
.
高
电源
和
电流
handing
能力.
表面
挂载
包装.
绝对
最大
比率
(t
一个
=25
C
除非
否则
指出)
参数
标识
限制
单位
流-源
电压
V
DS
V
门-源
电压
V
GS
20
V
流
电流-持续的
-搏动
I
D
7.9
24
2
2
一个
一个
一个
W
I
DM
流-源
二极管
向前
电流
I
S
最大
电源
消耗
P
D
运行
接合面
和
存储
温度
范围
T
J
,t
STG
-55
至
150
C
热的
特性
热的
阻抗,
接合面-至-包围的
R
JA
62.5
/w
C
Ω
R
ds(在)
=30m
@V
GS
=4.5v.
Ω
CEM4804
一个
一个
一个
一个
1234
87
65
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
所以-8
1
5-98
5
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com