20
双 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
二月. 2003
特性
20V , 6A , R
ds(在)
=20m @V
GS
=4.5v.
超级的 高 dense cell 设计 为 极其 低 R
ds(在)
.
高 电源 和 电流 handing 能力.
表面 挂载 包装.
绝对 最大 比率 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
限制 单位
流-源 电压
V
DS
V
门-源 电压
V
GS
12
V
流 电流-持续的
-搏动
I
D
6
24
6
2
一个
一个
一个
W
I
DM
流-源 二极管 向前 电流
I
S
最大 电源 消耗
P
D
运行 接合面 和 存储
温度 范围
T
J
,t
STG
-55 至 150
C
热的 特性
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
R
JA
62.5
/w
C
Ω
R
ds(在)
=30m @V
GS
=2.5v.
Ω
CEM8206
一个
一个
一个
一个
1234
8765
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
所以-8
1
5-73
5