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资料编号:219119
 
资料名称:MC68HC711K4CFN2
 
文件大小: 420.5K
   
说明
 
介绍:
Technical Summary 8-Bit Microcontroller
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MOTOROLA m68hc11 k 序列
18 mc6hc11kts/d
4-kbyte boundary 之后 重置, 128 字节 的 这 内存 是 located 在 $0300 至 $037f. remapping 是 交流-
complished 用 writing 适合的 值 至 这 init 寄存器. 谈及 至 这 寄存器 和 内存 mapping
examples 下列的 这 记忆 编排 图解.
当 电源 是 移除 从 这 mcu, 内存 内容 将 是 preserved 使用 这 modb/v
STBY
管脚.
一个 电源 源 (2.0 vdc –v
DD
) 应用 至 这个 管脚 保护 所有 768 字节 的 内存.
能 是 写 仅有的 once 在 第一 64 循环 输出 的 重置 在 正常的 模式 或者 在 任何 时间 在 特定的 模式.
ram[3:0] —internal 内存 编排 位置
这些 位 决定 这 upper 四 位 的 这 内存 地址. 在 重置 内存 是 编排 至 $0000. 也不-
mally 这 内存 将 是 编排 在 $0000–$02ff (768 字节). 不管怎样, 这 寄存器 块 overlaps
这 第一 128 字节 的 内存, 造成 它们 至 是 remapped 至 $0300–$037f. 谈及 至
图示 4
图-
ure 5
.
reg[3:0] —128-字节 寄存器 块 编排 位置
这些 位 决定 这 upper 四 位 的 这 寄存器 块 开始 地址. 在 重置 寄存器 是
编排 至 $0000 和 overlap 这 第一 128 字节 的 内存, 造成 它们 至 是 remapped 至 $0300–
$037f. 谈及 至
图示 4
图示 5
.
3.3 只读存储器/非易失存储器
标准 设备 有 24 kbytes 的 非易失存储器 (otprom 在 一个 非-windowed 包装). custom 只读存储器
设备 有 一个 24-kbyte 只读存储器 排列 那 是 掩饰 编写程序 在 这 工厂 至 客户 规格.
这 mc68hc11k0, mc68hc11k1, mc68l11k0, 和 mc68l11k1 有 非 只读存储器/非易失存储器. 谈及 至
订货 信息 tables
.
这 romad 和 romon 控制 位 在 这 config 寄存器 控制 这 位置 和 存在 的
只读存储器/非易失存储器 在 这 记忆 编排. 这 只读存储器/非易失存储器 能 是 编排 在 $2000–$7fff 或者 $a000–
$ffff. 如果 它 是 编排 至 $a000–$ffff, vector 空间 是 包含. 在 单独的-碎片 模式 这 rom/
非易失存储器 是 强迫 至 $a000–$ffff (romad = 1) 和 使能 (romon = 1), regardless 的 这 值
在 这 config 寄存器. 这个 确保 那 那里 将 是 只读存储器/非易失存储器 在 这 vector 空间. 在 特定的
测试 模式, 这 romon 位 是 强迫 至 零 所以 那 这 只读存储器/非易失存储器 是 移除 从 这 记忆 编排.
谈及 至
图示 4
.
程序编制 非易失存储器 需要 一个 外部 12.25 volt 名义上的 电源 供应 (v
PPE
) 那 必须 是 ap-
plied 至 这 xirq
/v
PPE
管脚. 三 方法 是 使用 至 程序 和 核实 非易失存储器/otprom.
正常的 非易失存储器/otprom 程序编制 能 是 accomplished 在 任何 运行 模式. 正常的 pro-
gramming 是 accomplished 使用 这 非易失存储器/otprom 程序编制 寄存器 (eprog). 这 eprog
寄存器 使能 这 非易失存储器 程序编制 电压, 控制 这 闭锁 的 数据 至 是 编写程序, 和
选择 单独的- 或者 多样的-字节 程序编制.
至 程序 这 非易失存储器, 完全 这 下列的 步伐 使用 这 eprog 寄存器:
1. 设置 这 elat 位 在 eprog 寄存器. eelat 位 在 pprog 必须 是 cleared 作 它 negates 这
函数 的 这 elat 位.
2. 写 数据 至 这 desired 地址.
3. 转变 在 程序编制 电压 至 这 非易失存储器 排列 用 设置 这 epgm 位 在 eprog 寄存器.
4. 延迟 为 2 ms 或者 更多, 作 适合的.
5. clear 这 epgm 位 在 eprog 至 转变 止 这 程序编制 电压.
INIT
内存 和 寄存器 mapping
$003D
位 7 654321位 0
RAM3 RAM2 RAM1 RAM0 REG3 REG2 REG1 REG0
重置: 0000000 0
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