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ltc1538-aux/ltc1539
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
这 阻抗 的 一个 场效应晶体管 能 simply 是 summed
和 这 抵制 的 l 和 r
SENSE
至 获得 i
2
R
losses. 为 例子, 如果 各自 r
ds(在)
= 0.05
Ω
, r
L
=
0.15
Ω
和 r
SENSE
= 0.05
Ω
, 然后 这 总的 阻抗 是
0.25
Ω
. 这个 结果 在 losses ranging 从 3% 至 10%
作 这 输出 电流 增加 从 0.5a 至 2a. i
2
R
losses 导致 这 效率 至 滚动 止 在 高 输出
电流.
4. 转变 losses 应用 仅有的 至 这 topside 场效应晶体管(s)
和 仅有的 当 运行 在 高 输入 电压 (典型地
20v 或者 更好). 转变 losses 能 是 estimated 从:
转变 丧失
≈
2.5(v
在
)
1.85
(i
最大值
)(c
RSS
)(f)
其它 losses 包含 c
在
和 c
输出
等效串联电阻 dissipative
losses, 肖特基 传导 losses 在 dead-时间,
和 inductor 核心 losses, 一般地 账户 为 较少
比 2% 总的 额外的 丧失.
checking 瞬时 回馈
这 调整器 循环 回馈 能 是 审查 用 looking 在
这 加载 瞬时 回馈. 切换 regulators 引领
一些 循环 至 respond 至 一个 步伐 在 直流 (resistive) 加载
电流. 当 一个 加载 步伐 occurs, v
输出
shifts 用 一个
数量 equal 至 (
∆
I
加载
)(等效串联电阻) 在哪里 等效串联电阻 是 这 有效的
序列 阻抗 的 c
输出
.
∆
I
加载
也 begins 至 承担 或者
释放 c
输出
generating 这 反馈 错误 信号 这个
forces 这 调整器 循环 至 adapt 至 这 电流 改变
和 返回 v
输出
至 它的 稳步的-状态 值. 在 这个
恢复 时间 v
输出
能 是 监控 为 越过 或者
ringing 这个 将 表明 一个 稳固 问题. 这 i
TH
外部 组件 显示 在 图示 1 将 prove ad-
同等看待 补偿 为 大多数 产品.
一个 第二, 更多 severe 瞬时 是 造成 用 切换 在
负载 和 大 (> 1
µ
f) 供应 绕过 电容. 这
释放 绕过 电容 是 effectively 放 在 并行的
和 c
输出
, 造成 一个 迅速 漏出 在 v
输出
. 非 调整器 能
deliver 足够的 电流 至 阻止 这个 问题 如果 这 加载
转变 阻抗 是 低 和 它 是 驱动 quickly. 这 仅有的
解决方案 是 至 限制 这 上升 时间 的 这 转变 驱动 所以 那
这 加载 上升 时间 是 限制 至 大概 (25)(c
加载
).
因此 一个 10
µ
f 电容 将 需要 一个 250
µ
s 上升 时间,
限制的 这 charging 电流 至 关于 200ma.
在哪里 l1, l2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 percentage
的 输入 电源.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc1538-aux/ltc1539 电路. ltc1538-aux/
ltc1539 v
在
电流, intv
CC
电流, i
2
r losses 和
topside 场效应晶体管 转变 losses.
1. 这 v
在
电流 是 这 直流 供应 电流 给 在 这
电的 特性 这个 excludes 场效应晶体管 驱动器
和 控制 电流. v
在
电流 典型地 结果 在 一个
小 (<< 1%) 丧失 这个 增加 和 v
在
.
2. INTV
CC
电流 是 这 总 的 这 场效应晶体管 驱动器 和
控制 电流. 这 场效应晶体管 驱动器 电流 结果
从 切换 这 门 电容 的 这 电源
mosfets. 各自 时间 一个 场效应晶体管 门 是 切换 从
低 至 高 至 低 又一次, 一个 小包装板盒 的 承担 dq moves
从 intv
CC
至 地面. 这 结果 dq/dt 是 一个 电流
输出 的 intv
CC
这个 是 典型地 更 大 比 这
控制 电路 电流. 在 持续的 模式, i
GATECHG
=
f(q
T
+ q
B
), 在哪里 q
T
和 q
B
是 这 门 charges 的 这
topside 和 bottom 一侧 mosfets. 它 是 为 这个 reason
那 这 大 topside 和 同步的 mosfets 是
转变 止 在 低 电流 运作 在 favor 的 这
小 topside 场效应晶体管 和 外部 肖特基 二极管,
准许 效率高的, 常量-频率 运作 在 低
输出 电流.
用 powering extv
CC
从 一个 输出-获得 源,
这 额外的 v
在
电流 结果 从 这 驱动器 和
控制 电流 将 是 scaled 用 一个 因素 的 职责 循环/
效率. 为 例子, 在 一个 20v 至 5v 应用,
10ma 的 intv
CC
电流 结果 在 大概 3ma
的 v
在
电流. 这个 减少 这 midcurrent 丧失 从
10% 或者 更多 (如果 这 驱动器 是 powered 直接地 从
V
在
) 至 仅有的 一个 few 百分比.
3. I
2
r losses 是 predicted 从 这 直流 抵制 的 这
场效应晶体管, inductor 和 电流 sense r. 在 持续的
模式 这 平均 输出 电流 flows 通过 l 和
R
SENSE
, 但是 是 “chopped” 在 这 topside 主要的
场效应晶体管 和 这 同步的 场效应晶体管. 如果 这 二
mosfets 有 大概 这 一样 r
ds(在)
, 然后
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