绝对 最大 比率
(便条 1)
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
-v
EE
) +14V
输出 电流 (看 便条 4) 140mA
一般模式 输入 电压 V
EE
至 V
CC
最大 接合面 温度 +150˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接 10 秒) +300˚C
静电释放 (人 身体 模型) 2000V
运行 比率
热的 阻抗
包装 (
θ
JC
)(
θ
JA
)
MDIP 60˚c/w 110˚c/w
SOIC 55˚c/w 125˚c/w
+5 电的 特性
(一个
V
= +2, R
L
=100
Ω
,v
S
= +5V
1
,v
CM
=V
EE
+(v
S
/2), R
L
系 至 V
CM
, 除非 指定.
标识 参数 情况 典型值 最小值/最大值 比率
(便条 2)
单位
包围的 温度 clc5633in/im +25˚C +25˚C 0 至
70˚C
−40 至
85˚C
频率 Domain 回馈
-3db 带宽 V
O
= 0.5v
PP
100 80 70 70 MHz
V
O
= 2.0v
PP
97 79 74 72 MHz
−0.1db 带宽 V
O
= 0.5v
PP
20 17 17 13 MHz
增益 Peaking
<
200mhz, V
O
= 0.5v
PP
0 0.5 1.0 1.0 dB
增益 Rolloff
<
30mhz, V
O
= 0.5v
PP
0.2 0.5 0.6 0.6 dB
直线的 阶段 背离
<
30mhz, V
O
= 0.5v
PP
0.15 0.3 0.4 0.4 deg
差别的 增益 ntsc, R
L
= 150
Ω
至 −1V 0.04 – – – %
差别的 阶段 ntsc, R
L
= 150
Ω
至 −1V 0.1 – – – deg
时间 Domain 回馈
上升 和 下降 时间 2V 步伐 4.8 6.4 6.8 7.3 ns
安排好 时间 至 0.05% 1V 步伐 20 24 40 60 ns
越过 2V 步伐 5 7 11 14 %
回转 比率 2V 步伐 290 170 150 140 v/µs
扭曲量 和 噪音 回馈
2nd 调和的 扭曲量 2V
PP
, 1MHz −72 - - - dBc
2V
PP
, 1mhz; R
L
=1K
Ω
−84 - - - dBc
2V
PP
, 5MHz −71 −54 −52 −52 dBc
3rd 调和的 扭曲量 2V
PP
, 1MHz −87 - - - dBc
2V
PP
, 1mhz; R
L
=1K
Ω
−95 - - - dBc
2V
PP
, 5MHz −78 −61 −54 −54 dBc
相等的 输入 噪音
电压 (e
ni
)
>
1MHz 4.9 5.9 6.4 6.4 nv/
非-反相的 电流 (i
bn
)
>
1MHz 6.6 8.5 9.3 9.3 pa/
反相的 电流 (i
bi
)
>
1MHz 11.1 14.7 15.8 15.8 pa/
串扰 (输入 涉及) 10mhz, 1V
PP
−54 - - - dB
串扰, 所有 不利的 (输入
涉及)
10mhz, 1V
PP
−52 - - - dB
静态的, 直流 效能
输入 补偿 电压 (便条 3) 13 30 35 35 mV
平均 逐渐变化 80 - - - µv/˚c
输入 偏差 电流
(非-反相的)(便条 3)
5 182424µA
平均 逐渐变化 30 - - - na/˚c
CLC5633
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