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直流 增益 (统一体 增益 缓存区)
这 推荐 r
f
为 统一体 增益 缓存区 是 453
Ω
. r
g
是 left 打开. parasitic 电容 在 这 反相的 node
将 需要 一个 slight 增加 的 r
f
至 维持 一个 flat
频率 回馈.
直流 增益 (反相的)
这 反相的 直流 电压 增益 为 这 配置
显示 在 图示 2 是 .
图示 2: 反相的 增益
这 normalized 增益 plots 在 这
典型 效能
特性
部分 显示 不同的 反馈
电阻器 (r
f
) 为 不同的 增益. 这些 值 的 r
f
是
推荐 为 获得 这 最高的 带宽 和
minimal peaking. 这 电阻 r
t
提供 直流 偏差 为 这
非-反相的 输入.
为 |a
v
| < 5, 使用 直线的 interpolation 在 这 最近的 一个
v
val-
ues 至 计算 这 推荐 值 的 r
f
. 为 |a
v
|
≥
5, 这 最小 推荐 r
f
是 200
Ω
.
选择 r
g
至 设置 这 直流 增益: . 在 大
增益, r
g
变为 小 和 将 加载 这 previous 平台.
这个 能 是 solved 用 驱动 r
g
和 一个 低 阻抗
缓存区 像 这 clc111, 或者 增加 r
f
和 r
g
.
看 这
交流 设计 (小 信号 带宽)
sub-部分 为 这 tradeoffs.
直流 增益 精度 是 通常地 限制 用 这 容忍 的 r
f
和 r
g
.
直流 增益 (transimpedance)
图示 3 显示 一个 transimpedance 电路 在哪里 这 cur-
rent i
在
是 injected 在 这 反相的 node. 这 电流
源’s 输出 阻抗 是 更 更好 比 r
f
.
这 直流 transimpedance 增益 是:
这 推荐 r
f
是 453
Ω
. parasitic 电容 在
这 反相的 node 将 需要 一个 slight 增加 的 r
f
至
维持 一个 flat 频率 回馈.
直流 增益 精度 是 通常地 限制 用 这 容忍 的 r
f
.
图示 3: transimpedance 增益
直流 设计 (水平的 shifting)
图示 4 显示 一个 直流 水平的 shifting 电路 为 反相的
增益 配置. v
ref
生产 一个 直流 输出 水平的
变换 的 , 这个 是 独立 的 这 直流
输出 生产 用 v
在
.
图示 4: 水平的 shifting 电路
直流 设计 (单独的 供应)
图示 5 是 一个 典型 单独的-供应 电路. r
1
和 r
2
表格
一个 电压 分隔物 那 sets 这 非-反相的 输入 直流 volt-
age. 这个 电路 有 一个 直流 增益 的 1. 一个 低
频率 零 是 设置 用 r
g
和 c
2
. 这 连接 capac-
itor c
1
isolates 它的 直流 偏差 要点 从 这
previous 平台. 两个都 电容 制造 一个 高 通过
回馈; 高 频率 增益 是 决定 用 r
f
和 r
g
.
图示 5: 单独的 供应 电路
这 完全 增益 等式 为 这 电路 在 图示 5 是:
一个
R
R
v
f
g
=−
+
-
CLC446
R
f
0.1
µ
F
6.8
µ
F
V
o
V
在
V
CC
0.1
µ
F
6.8
µ
F
V
EE
R
g
R
t
3
2
4
7
6
+
+
R
R
一个
g
f
v
=
一个
V
I
R
R
o
在
f
==−
+
-
CLC446
R
f
0.1
µ
F
6.8
µ
F
V
o
V
CC
0.1
µ
F
6.8
µ
F
V
EE
R
t
3
2
4
7
6
+
+
I
在
V
在
R
g
+
-
CLC446
R
f
V
o
V
ref
R
ref
R
t
+
-
CLC446
R
f
V
o
V
在
V
CC
R
g
R
2
R
1
V
CC
C
1
C
2
V
V
s
1s
1s 1
R
R
1s
o
在
1
1
2
f
g
2
=
+
⋅
+⋅+
+
τ
τ
τ
τ
−⋅
V
R
R
ref
f
ref
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