rev. 3.05 将 27, 1999 4
©1999 国家的 半导体 公司
一个. t
SFSV
谈及 至 这 rising 边缘 的
SCK
当 sck_pol=0 和 这
下落 边缘 当 sck_pol=1.
b. t
OV
谈及 至 这 rising 边缘 的
SCK
当 sck_pol=0 和 这 下降-
ing 边缘 当 sck_pol=1.
c. t
RDYV
谈及 至 这 rising 边缘 的
RDY
当 rdy_pol=0 和 这
下落 边缘 当 rdy_pol=1.
1. 这些 参数 是 100% 测试 在 25°c.
2. 典型 规格 是 这 意思 值 的 这 distributions 的 deliv-
erable clc5902s 测试 至 日期.
3. 最小值/最大值 比率 是 为基础 在 产品 描绘 和 simulation.
单独的 参数 是 测试 作 指出. 优于 质量 水平 是
决定 从 测试 参数.
便条: 绝对 最大 比率 是 限制的 值, 至 是 应用
individually, 和 在之外 这个 这 serviceability 的 这 电路 将 是
impaired. 函数的 operability 下面 任何 的 这些 情况 是 不 nec-
essarily 暗指. 暴露 至 最大 比率 为 扩展 时期 将
影响 设备 可靠性.
使能 时间
TCK
至 数据 输出 (图示 13) t
PZH
035ns1
建制 时间 数据 至
TCK
(图示 13) t
S
10 ns 1
建制 时间
TDI
至
TCK
(图示 13) t
S
10 ns 1
建制 时间
TMS
至
TCK
(图示 13) t
S
15 ns 1
支撑 时间 数据 至
TCK
(图示 13) t
H
55 ns 1
支撑 时间
TCK
至
TDI
(图示 13) t
H
55 ns 1
支撑 时间
TCK
至
TMS
(图示 13) t
H
10 ns 1
TCK
脉冲波 宽度 高 (图示 13) t
WH
55 ns 1
TCK
脉冲波 宽度 低 (图示 13) t
WL
40 ns 1
TCK
最大 频率 (图示 13) JTAG
FMAX
10 MHz 1
控制 建制 在之前 这 controlling 信号 变得 低 (图示 14) t
CSU
5ns1
控制 支撑 之后 这 controlling 信号 变得 高 (图示 14) t
CHD
5ns1
controlling strobe 脉冲波 宽度 (写) (图示 14) t
CSPW
30 ns 1
控制 输出 延迟 controlling 信号 低 至
D
(读) (图示 14) t
CDLY
30 ns 1
控制 触发-状态 延迟 之后 controlling 信号 变得 高 (图示 14) t
CZ
20 ns 1
动态 供应 电流 (f
CK
=52mhz, n=48) I
CC
230 280 毫安 1
动态 供应 电流 (f
CK
=52mhz, n=8) I
CC
260 320 毫安 1
参数 (c
L
=50pf) 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
积极的 供应 电压 (vcc) -0.3v 至 4.2v
电压 在 任何 输入 或者 输出 管脚 -0.3v 至 vcc+0.5v
输入 电流 在 任何 管脚 ±25mA
包装 输入 电流 ±50mA
包装 消耗 在 ta=25°c 1W
静电释放 susceptibility
人 身体 模型
机器 模型
1500V
100V
焊接 温度, infrared, 10 秒 300°C
存储 温度 -65°c 至 150°c
注释 一个 - c
注释 1 - 3
绝对 最大 比率
积极的 供应 电压 (vcc) 3.3v ±10%
运行 温度 范围 -40°c 至 +85°c
包装
θ
ja
θ
jc
128 管脚 pqfp 39°c/w tbd°c/w
晶体管 计数 1.2 million
顺序 代号
温度
范围
描述
CLC5902VLA
-40°c 至
+85°C
128-管脚 pqfp (工业的
温度 范围)
clc-drcs-pcasm
全部地 承载 diversity
接受者 chipset evaluation
板 和 控制 嵌板 软-
ware.
clc-capt-pcasm
数据 俘获 板 为 这
drcs 和 matlab 分析
routines.
推荐 运行 情况
包装 热的 阻抗
可靠性 信息
订货 信息
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