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数据 薄板
4 mbit lpc firmware flash
SST49LF004B
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71232-02-000 12/03
直流 特性
表格 14: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
(一个
LL
I
NTERFACES
)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
1
1. I
DD
起作用的 当 一个 读 或者 写 (程序或者 擦掉) 运作 是 在 progress.
起作用的 v
DD
电流 LCLK
(lpc 模式)
和 地址 输入
(pp 模式)
=V
ILT
/v
IHT
在 f=33 mhz (
lpc 模式
) 或者 1/
trc 最小值
(
pp 模式
)
所有 其它 输入=v
IL
或者 v
IH
读 12 毫安 所有 输出 = 打开, v
DD
=V
DD
最大值
写
2
2. 为 pp 模式: oe# = we# = v
IH
; 为 lpc 模式: f = 1/t
RC
最小值, lframe# = v
IH
.
30 毫安 看 便条 2
I
SB
备用物品 v
DD
电流
(lpc 接口)
100 µA LCLK
(lpc 模式)
和 地址 输入
(pp 模式)
=V
ILT
/v
IHT
在 f=33 mhz (
lpc 模式
) 或者 1/
trc 最小值
(
pp 模式
)
lframe#=0.9 v
DD
, f=33 mhz, ce#=0.9 V
DD
,
V
DD
=V
DD
最大值, 所有 其它 输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
RY
3
3. 这 设备 是 在 准备好 模式 当 非 activity 是 在 这 lpc 总线.
输入 电流 为 模式
和
id[3:0] 管脚
10 毫安 LCLK
(lpc 模式)
和 地址 输入
(pp 模式)
=V
ILT
/v
IHT
在 f=33 mhz (
lpc 模式
) 或者 1/
trc 最小值
(
pp 模式
)
LFRAME#=V
IL
, f=33 mhz, v
DD
=V
DD
最大值
所有 其它 输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
I
输入 泄漏 电流 为
模式
和 id[3:0] 管脚
200 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IHI
init# 输入 高 电压 1.1 V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
ILI
init# 输入 低 电压 -0.5 0.4 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IL
输入 低 电压 -0.5 0.3 v
DD
VV
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.5 v
DD
V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.1 v
DD
V
V
OH
输出 高 电压 0.9 v
DD
V
t14.2 1232
表格 15: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 写 运作 100 µs
t15.0 1232
表格 16: P
在
C
APACITANCE
(v
DD
=3.3v, ta=25 °c, f=1 mhz, 其它 管脚 open)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 initial 资格 和 之后 一个 设计 或者 process 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
=0V 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
=0V 12 pf
t16.0 1232
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