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数据 薄板
4 mbit lpc firmware flash
SST49LF004B
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71232-02-000 12/03
交流 特性 (pp 模式)
表格 24: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
, v
DD
=3.0-3.6v (pp m
ODE
)
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
RC
读 循环 时间 270 ns
T
RST
rst# 高 至 行 地址 建制 1 µs
T
作
r/c# 地址 设置-向上 时间 45 ns
T
AH
r/c# 地址 支撑 时间 45 ns
T
AA
地址 进入 时间 120 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 60 ns
T
OLZ
oe# 低 至 起作用的 输出 0 ns
T
OHZ
oe# 高 至 高-z 输出 35 ns
T
OH
输出 支撑 从 地址 改变 0 ns
t24.0 1232
表格 25: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
, v
DD
=3.0-3.6v (pp m
ODE
)
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
RST
rst# 高 至 行 地址 建制 1 µs
T
作
r/c# 地址 建制 时间 45 ns
T
AH
r/c# 地址 支撑 时间 45 ns
T
CWH
r/c# 至 写 使能 高 时间 50 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 20 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 20 ns
T
OEP
oe# 至 data# polling 延迟 60 ns
T
OET
oe# 至 toggle 位 延迟 60 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 100 ns
T
WPH
we# 脉冲波 宽度 高 100 ns
T
DS
数据 建制 时间 50 ns
T
DH
数据 支撑 时间 5 ns
T
IDA
软件 id 进入 和 exit 时间 150 ns
T
BP
字节 程序编制 时间 20 µs
T
SE
sector-擦掉 时间 25 ms
T
是
块-擦掉 时间 25 ms
T
SCE
碎片-擦掉 时间 100 ms
t25.0 1232
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