二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, glass passivation 类型
标识
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
R
th (j-c)
测试 情况
T
j
=125
°
c, v
RRM
应用, r
GK
=220
Ω
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用, r
GK
=220
Ω
T
c
=25
°
c, i
TM
=10a, instantaneous 值
T
j
=25
°
c, vd=6v, i
T
=0.1a
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
, r
GK
=220
Ω
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, i
T
=0.1a
接合面 至 情况
✽
2
单位
毫安
毫安
V
V
V
µ
一个
°
c/w
典型值
—
—
—
—
—
—
—
参数
repetitive 顶峰 反转 电流
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
门 非-触发 电压
门 触发 电流
热的 阻抗
限制
最小值
—
—
—
—
0.1
1
—
最大值
2.0
2.0
1.6
0.8
—
100
✽
3
4.1
电的 特性
10
0
23 5710
1
40
20
23 5710
2
44
60
80
100
30
10
50
70
90
0
3.80.6 1.4 2.2 3.01.0 1.8 2.6 3.4
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
T
c
= 25°c
最大 在-状态 特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态 电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
效能 曲线
✽
2. 这 联系 热的 阻抗 r
th (c-f)
是 0.5
°
c/w 和 greased.
✽
3. 如果 特定的 值 的 i
GT
是 必需的, choose 在 least 二 items 从 那些 列表 在 这 表格 在下. (例子: ab, bc)
B
20 ~ 50
C
40 ~ 100
Item
I
GT
(
µ
一个)
一个
1 ~ 30
这 在之上 值 做 不 包含 这 电流 流 通过 这 220
Ω
阻抗 在 这 门 和 cathode.
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