cs5171, cs5172, cs5173, cs5174
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17
T
J
T
一个
(p
D
JA
)
在哪里:
T
J
= ic 或者 场效应晶体管 接合面 温度 (
°
c);
T
一个
= 包围的 温度 (
°
c);
P
D
= 电源 dissipated 用 部分 在 question (w);
JA
= junction−to−ambient 热的 阻抗 (
°
c/w).
为 这 cs517x,
JA
=165
°
c/w.
once 这 设计者 有 计算 t
J
, 这 question 的
whether这 cs517x 能 是 使用 在 一个 应用 是 settled.
如果 t
J
超过 150
°
c, 这 绝对 最大 容许的
接合面 温度, 这 cs517x 是 不 合适的 为 那
应用.
如果 t
J
approaches 150
°
c, 这 设计者 应当 考虑
可能 意思 的 减少 这 接合面 温度.
perhaps 另一 转换器 topology 可以 是 选择 至
减少 这 转变 电流. 增加 这 airflow 横过 这
表面 的 这 碎片 might 是 考虑 至 减少 t
一个
.
电路 布局 指导原则
在 任何 切换 电源 供应, 电路 布局 是 非常
重要的 为 恰当的 运作. 迅速 切换 电流
联合的 和 查出 电感 发生 电压
transitions那 能 导致 问题. 因此 这 下列的
指导原则 应当 是 followed 在 这 布局.
1. 在 boost 电路, 高 交流 电流 circulates 在里面 这
循环 composed 的 这 二极管, 输出 电容, 和
on−chip 电源 晶体管. 这 长度 的 有关联的
查出 和 leads 应当 是 保持 作 短的 作 可能. 在
这 flyback 电路, 高 交流 电流 循环 exist 在 两个都
sides 的 这 变压器. 在 这 primary 一侧, 这 循环
组成 的 这 输入 电容, 变压器, 和
on−chip 电源 晶体管, 当 这 变压器,
整流器 二极管, 和 输出 电容 表格 另一
循环 在 这 secondary 一侧. just 作 在 这 boost 电路,
所有 查出 和 leads containing 大 交流 电流
应当 是 保持 短的.
2. 独立的 这 低 电流 信号 grounds 从 这
电源 grounds. 使用 单独的 要点 grounding 或者 地面
平面 构建 为 这 最好的 结果.
3. locate 这 电压 反馈 电阻器 作 near 这 ic 作
可能 至 保持 这 敏感的 反馈 线路 短的.
连接 反馈 电阻器 至 这 低 电流 相似物
地面.
订货 信息
设备 运行 温度 范围 包装 Shipping
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CS5171ED8 95 单位/栏杆
CS5171EDR8 2500 录音带 &放大; 卷轴
CS5172ED8
SOIC 8
95 单位/栏杆
CS5172EDR8
SOIC−8
2500 录音带 &放大; 卷轴
CS5173ED8
−40
°
c<t
J
< 125
°
C
95 单位/栏杆
CS5173EDR8
−40
°
C<T
J
< 125
°
C
2500 录音带 &放大; 卷轴
CS5173EDR8G
SOIC−8
(pb−free)
2500 录音带 &放大; 卷轴
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CS5174EDR8
SOIC 8
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CS5171GD8
SOIC−8
95 单位/栏杆
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CS5171GDR8G
SOIC−8
(pb−free)
2500 录音带 &放大; 卷轴
CS5172GD8
0
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CT 125
°
C
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< 125
°
C
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