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数据 薄板
512 kbit / 1 mbit multi-目的 flash
sst39sf512 / sst39sf010
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71149-03-000 4/01 394
sst39sf512 有效的 结合体
sst39sf512-70-4c-nh sst39sf512-70-4c-wh sst39sf512-70-4c-ph
sst39sf512-90-4c-nh sst39sf512-90-4c-wh sst39sf512-90-4c-ph
sst39sf512-90-4c-u3
sst39sf512-70-4i-nh sst39sf512-70-4i-wh
sst39sf512-90-4i-nh sst39sf512-90-4i-wh
sst39sf010 有效的 结合体
sst39sf010-70-4c-nh sst39sf010-70-4c-wh sst39sf010-70-4c-ph
sst39sf010-90-4c-nh sst39sf010-90-4c-wh sst39sf010-90-4c-ph
sst39sf010-90-4c-u4
sst39sf010-90-4i-nh sst39sf010-90-4i-wh
例子:
有效的 结合体 是 那些 产品 在 mass 生产 或者 将 是 在 mass 生产. 咨询 your sst 销售
代表 至 confirm 有效性 的 有效的 结合体 和 至 决定 有效性 的 新 结合体.
设备 速 Suffix1 Suffix2
SST39SFxxx
-xx -xX -xX
包装 modifier
h = 32 管脚
numeric = 消逝 modifier
包装 类型
n = plcc
w = tsop (消逝 向上) (8mm x 14mm)
p = pdip
u = unencapsulated 消逝
温度 范围
c = 商业的 = 0
°
c 至 +70
°
C
i = 工业的 = -40
°
c 至 +85
°
C
最小 忍耐力
4 = 10,000 循环
读 进入 速
70 = 70 ns
90 = 90 ns
设备 密度
512 = 512 kilobit
010 = 1 megabit
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