– 9 –
CXD1804CR
电的 特性
(v
DD
= 5v ± 10%, v
SS
= 0v, topr = –20 至 +75°c)
Item
ttl 输入 水平的 管脚
高 水平的 输入 电压
ttl 输入 水平的 管脚
低 水平的 输入 电压
cmos 输入 水平的 管脚
高 水平的 输入 电压
cmos 输入 水平的 管脚
低 水平的 输入 电压
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
高 水平的 输入 电压
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
低 水平的 输入 电压
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
输入 电压 hysteresis
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
高 水平的 输入 电压
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
低 水平的 输入 电压
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
输入 电压 hysteresis
scsi 施密特 输入 水平的 管脚
高 水平的 输入 电压
scsi 施密特 输入 水平的 管脚
低 水平的 输入 电压
scsi 施密特 输入 水平的 管脚
输入 电压 hysteresis
双向的 管脚 和 拉-向上 电阻
输入 电流
高 水平的 输出 电压
高 水平的 输出 电压
scsi 高 水平的 输出 电压
低 水平的 输出 电压
scsi 低 水平的 输出 电压
输入 泄漏 电流
振动 cell 高 水平的 输入 电压
振动 cell 低 水平的 输入 电压
振动 cell 逻辑 门槛 值
振动 cell 反馈 阻抗 值
振动 cell 高 水平的 输出 电压
振动 cell 低 水平的 输出 电压
V
IH1
V
IL1
V
IH2
V
IL2
V
IH4
V
IL4
V
IH4
– v
IL4
V
IH5
V
IL5
V
IH5
– v
IL4
V
IHS
V
ILS
V
IHTS
– v
ILTS
I
IL3
V
OH1
V
OH2
V
OHS
V
OL1
V
OLS
I
I1
V
IH4
V
IL4
LV
TH
R
FB
V
OH3
V
OL3
V
在
= 0v
I
OH
= –2ma
I
OH
= –6ma
I
OL
= 4ma
I
OL
= 48ma
V
在
= v
SS
或者 v
DD
V
在
= v
SS
或者 v
DD
I
OH
= –12ma
I
OL
= 12ma
2.2
0.7v
DD
0.8v
DD
2.2v
2.2v
–90
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
2.5
–10
0.7v
DD
250k
0.5v
DD
0.6
0.4
0.4
–200
0.5v
DD
1M
0.8
0.3v
DD
0.2v
DD
0.8v
0.8v
–440
3.7
0.4
0.5
10
0.3v
DD
2.5m
0.5v
DD
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
µA
V
V
V
V
V
µA
V
V
V
Ω
V
V
∗
1
∗
1
∗
2
∗
2
∗
3
∗
3
∗
3
∗
4
∗
4
∗
4
∗
11
∗
11
∗
11
∗
5
∗
6
∗
7
∗
12
∗
8
∗
11
∗
9
∗
10
标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
适用
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